[发明专利]一种LED灯硅片电路板的制作工艺

权利要求书

1.一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于：其硅片电路板的制作工艺步骤为：

(1)固定切片，将事先准备好的单晶硅棒固定到加工台上，然后将单晶硅切割成厚度均匀的单晶硅片，同时采用蒸馏水持续淋到单晶硅片上；

(2)热退火处理，将上一步切片完成后的单晶硅片通过热氧化炉进行高温加热并且进行退火处理，直至加热到400—450℃，然后在向热氧化炉内的单晶硅片的表面充入氧气，并且持续10—15min；

(3)倒角修整处理，将步骤2退火处理后的单晶硅片的边缘通过精细磨砂轮进行磨砂修整处理，将单晶硅片的边角打磨成圆弧形，且圆弧的弧度为90度，在磨砂修整处理时磨砂轮的转速设为50—60rad/min，

(4)硅片电路板的研磨、清洗处理，将上一步倒角打磨处理的单晶硅片进行精细抛光处理，同时向单晶硅片的表面喷洒蒸馏水进行清洗，且对单晶硅片进行精研磨时的研磨速度为80—90rad/min。

2.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热时，高温热氧化炉的温度升高速度为20—30℃/min。

3.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤2中对单晶硅片进行高温加热前，持续向高温热氧化炉内填充氮气，直至高温热氧化炉内的气体被排出完。

4.根据权利要求1所述的一种LED灯硅片电路板的制作工艺，其特征在于，所述的步骤4中对单晶硅片进行清洗时，保证单晶硅片进行轴向匀速旋转，且单晶硅片的旋转角速度为15—18rad/min。