[发明专利]一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法在审
| 申请号： | 201710249455.0 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107039284A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,王浩 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 低温 多晶 薄膜晶体管 方法 | ||
1.一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S11：在衬底基板上形成栅极层的过程；
S12：形成有源层的过程；
S13：形成源漏极接触层的过程；
S14：形成源漏电极层的过程，
其中，形成所述源漏极接触层的过程包括：
形成沟道保护层，并通过等离子体增强化学气相沉积的方法沉积欧姆接触层，其中使用的反应气体包含乙硼烷，然后，对所述欧姆接触层进行图形化处理，形成所述源漏极接触层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体还包括硅烷和氢气。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，沉积所述欧姆接触层使用的材料包括P+a-Si。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述沟道保护层的过程包括：在所述有源层上沉积蚀刻阻挡层，然后对所述蚀刻阻挡层依次进行加热氢化处理和图形化处理，形成所述沟道保护层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包括氧化硅层或氮化硅层中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述有源层的过程包括：在衬底基板全表面沉积栅极绝缘层，然后沉积非晶硅层，通过准分子激光退火工艺使所述非晶硅层转变为多晶硅层，对所述多晶硅层进行图形化处理，形成所述有源层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述栅极层的过程包括：在衬底基板全表面沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，形成所述栅极层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在沉积所述第一金属层之前，在衬底基板全表面制作缓冲层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述缓冲层包括氮化硅层或氧化硅层中的至少一种。
10.根据权利要求7至9中任意一项所述的方法，其特征在于，所述栅极层的材料包括钼、钽、铝、钨中的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
