[发明专利]喷头、气相生长装置以及气相生长方法

权利要求书

1.一种喷头，具备：

混合室，被供给用于在基板上形成膜的各工艺气体，并将该各工艺气体进行混合；

多个冷却部，分别隔着从上述混合室导入上述各工艺气体的间隙设置在上述混合室的下方，且分别在内部具有沿水平方向设置的冷却孔；

多个缓冲区域，分别设置在上述间隙以及上述冷却部的下方，从上述间隙被导入上述各工艺气体，暂时使上述各工艺气体滞留；以及

喷淋板，设置在上述缓冲区域的下方，以规定的间隔配置有从上述缓冲区域导入上述各工艺气体的多个贯通孔，

上述多个缓冲区域沿着与上述喷淋板的主面平行且与上述冷却孔的中心线垂直的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的喷头，其中，

上述间隙的宽度比上述缓冲区域的宽度短。

3.根据权利要求1所述的喷头，其中，

在上述缓冲区域的宽度方向上的上述贯通孔的内径与上述规定的间隔之和，在上述缓冲区域的宽度以下。

4.一种气相生长装置，具备：

权利要求1所述的喷头；

反应室，设置在上述喷头的下方；以及

支承部，设置在上述反应室内，能够载置基板。

5.一种气相生长方法，其中，

向在分别隔着间隙设置于混合室的下方的多个冷却部的内部分别沿水平方向设置的冷却孔供给制冷剂，

向上述混合室供给用于在基板上形成膜的各工艺气体，并在该混合室将上述各工艺气体混合，

由上述制冷剂来冷却经由上述间隙供给至设置于上述间隙以及上述冷却部的下方的缓冲区域的上述各工艺气体，

使通过了上述间隙的上述各工艺气体暂时滞留在上述缓冲区域内之后，经由在设置于上述缓冲区域的下方的喷淋板上以规定的间隔配置的多个贯通孔，将冷却后的上述各工艺气体供给至反应室，

在载置于上述反应室内的基板上，使用上述各工艺气体来使膜生长，

上述缓冲区域沿着与上述喷淋板的主面平行且与上述冷却孔的中心线垂直的方向延伸。