[发明专利]计算系统、非易失性存储器模块以及操作存储设备的方法有效
申请号: | 201710248135.3 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN107452423B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 林璇渶;吴起硕;徐圣镕;赵永进;崔仁寿 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/32 | 分类号: | G11C16/32;G11C16/06;G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽;李琳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 计算 系统 非易失性存储器 模块 以及 操作 存储 设备 方法 | ||
1.一种存储设备的操作方法,该方法包括:
将对于所述存储设备的内部操作的内部操作请求发送到外部设备,所述内部操作请求包括指示内部操作时间的消息;
从外部设备接收与所述内部操作请求相对应的内部操作命令,所述内部操作命令包括所述内部操作请求的批准;以及
在通过内部操作命令批准的内部操作时间期间执行所述内部操作,
该方法包括:当所述内部操作命令包括指示对于所述请求的批准的信息时,忽略从所述外部设备发出的新的命令。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:将消息就绪信号发送到外部设备,以及在发送所述内部操作请求之前在所述存储设备处接收消息读取命令。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述内部操作时间指示执行所述内部操作所需的时间量。
4.如权利要求1所述的方法,其中,发送内部操作请求包括:
将内部操作时间存储在所述存储设备的缓冲区中;以及
使用消息通道将所述内部操作请求传送到所述外部设备,
其中,当接收到内部操作命令时读取存储在所述缓冲区中的内部操作时间,以及在所读取的内部操作时间期间执行内部操作。
5.如权利要求1所述的方法,其中,接收所述内部操作命令包括通过至少一个命令引脚、至少一个地址引脚、或至少一个保留将来使用(RFU)引脚中的至少一个接收所述内部操作命令。
6.如权利要求1所述的方法,其中,执行所述内部操作包括基于所述内部操作命令对于所述存储设备的所有或一些存储库执行所述内部操作。
7.如权利要求1所述的方法,其中:
所述内部操作命令包括指示对于所述请求的批准或拒绝的信息。
8.如权利要求1所述的方法,其中:
所述内部操作命令包括指示对于所述请求的批准或拒绝的信息,以及
该方法包括:当所述内部操作命令包括指示对于所述请求的拒绝的信息时,处理从所述外部设备发出的新的命令。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述内部操作包括刷新操作、定时校准操作、或内部数据传输操作中的至少一个。
10.如权利要求1所述的方法,其中,所述存储设备包括以下各项之一:双列直插存储器模块(DIMM)、非易失性双列直插存储器模块(NVDIMM)、固态驱动(SSD)、通用闪速存储器(UFS)、嵌入式多媒体卡(eMMC)、安全数字(SD)卡、动态随机访问存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)、NAND闪速存储器、垂直NAND闪速存储器、相位RAM(PRAM)、或者电阻式RAM(RRAM)。
11.一种存储器模块,包括:
至少一个易失性存储器;
至少一个非易失性存储器;以及
存储器控制电路,控制所述至少一个易失性存储器和所述至少一个非易失性存储器,其中,所述存储器控制电路被配置为,当内部操作被执行时,将内部操作请求消息传送到外部设备,从所述外部设备接收与所述内部操作请求消息相对应的内部操作命令,并且基于所诉内部操作命令在内部操作时间期间执行内部操作,并且其中,所述内部操作请求消息包括所述内部操作时间,
其中,所述存储器控制电路在所述内部操作被执行时忽略由所述外部设备发出的新的命令。
12.如权利要求11所述的存储器模块,其中,当接收到包括与所述内部操作请求的拒绝相对应的信息的所述内部操作命令时,所述存储器控制电路处理由所述外部设备发出的新的命令。
13.如权利要求11所述的存储器模块,其中,所述内部操作命令包括所述内部操作时间或与所述内部操作时间相对应的信息。
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