[发明专利]一种氮化镓刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710248109.0 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107516633B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 孔岑;周建军;张凯;郁鑫鑫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓刻蚀方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
(1)使用淀积工艺在GaN材料表面制备介质层，介质层为氮化硅或氧化硅；
(2)使用常规光刻或电子束工艺，通过旋涂光刻胶、曝光、显影，在介质层表面形成刻蚀图形；
(3)使用干法刻蚀工艺刻蚀介质层形成介质掩膜图形；
(4)使用丙酮、酒精超声去除光刻胶；
(5)使用感应耦合等离子体刻蚀台在气氛1下预刻蚀GaN；气氛1为氧气和氩气的混合气体，O2：Ar比为0.5：1～3：1；刻蚀腔体气压为0.5～3Pa，刻蚀腔体温度为100℃，线圈功率为130～300W，偏置功率为5～20W，刻蚀时间为30～50s；
(6)使用感应耦合等离子体刻蚀台在气氛2下刻蚀GaN；气氛2为氯气和氮气的混合气体，Cl2：N2比0.5：1～3：1；刻蚀腔体气压为0.2～2Pa，刻蚀腔体温度为100℃，线圈功率为80～220W，偏置功率为2～20W，刻蚀时间为150～250s；
(7)重复步骤5、6，达到所需刻蚀深度；达到所需刻蚀深度前，被刻蚀材料不与空气接触；
(8)使用干法刻蚀工艺去除剩余介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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