[发明专利]一种电子封装硅铝合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201710247130.9 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107058818A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴忠政 | 申请（专利权）人： | 黄平县阳光科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/04 | 分类号： | C22C21/04;C22C1/02;C22C1/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 556000 贵州省黔东南*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 封装 铝合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，包括：
按照硅原料和铝原料的总质量与含磷变质剂的质量之比为100：1～5，将所述硅原料、所述铝原料和所述含磷变质剂混合均匀，得到混合物，在1000～1500℃的温度下，将所述混合物熔为熔体并充分变质后，精炼和沉积制成坯锭，将所述坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。
2.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述含磷变质剂选自磷酸单脂和磷酸双脂的混合物。
3.根据权利要求2所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述磷酸单脂选自C1～10烷基磷酸单脂、环烷基磷酸单脂、杂环烷基磷酸单脂、芳基磷酸单脂和5～6元芳杂环基磷酸单脂中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述磷酸双脂选自C1～10烷基磷酸双脂、环烷基磷酸双脂、杂环烷基磷酸双脂、芳基磷酸双脂和5～6元芳杂环基磷酸双脂中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，精炼是在精炼剂存在环境下，将变质后的熔体在1100～1300℃的温度下除气精炼后进行扒渣。
6.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述沉积采用喷射沉积的方式进行。
7.根据权利要求6所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述喷射沉积的条件为：雾化压力为0.5～1MPa，雾化温度为1150～1450℃，沉积距离为600～700mm。
8.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，所述压模是将热等静压处理后坯锭在350℃～450℃的温度和50～100MPa的压力下进行。
9.根据权利要求1所述的电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，按照重量份数计，所述硅原料为30～60份，所述铝原料为40～70份。
10.一种电子元件封装外壳，其特征在于，根据权利要求1～9任一项所述的电子元件封装外壳的其制备方法制得。
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