[发明专利]一种反向有机太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710245812.6 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN107068868B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 尚静 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 11200 北京君尚知识产权代理有限公司 代理人: 邱晓锋<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 性价比 反向 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种反向有机太阳能电池,其特征在于,包括玻璃衬底上的一层阴极层、一层沉积在阴极层上的阴极修饰层、一层沉积在阴极修饰层上的光活性层、一层沉积在光活性层上的阳极修饰层、一层沉积在阳极修饰层上的缓冲层和一层沉积在缓冲层上的阳极层;所述缓冲层的材料是以下薄膜中的任意一种:Ⅰ.碳酸锂掺杂的2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉;Ⅱ.铯掺杂的4,7二苯基-1,10-菲啰啉;Ⅲ.氟化锂;Ⅳ.碳酸铯;所述阳极修饰层的材料是以下薄膜中的任意一种:Ⅰ.三氧化钼;Ⅱ.1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈。

2.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阴极层的材料是导电氧化铟锡薄膜或贵金属薄膜;所述阴极修饰层的材料是乙氧基化的聚乙烯亚胺。

3.如权利要求2所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述导电氧化铟锡薄膜的面电阻小于10欧姆/sq;所述贵金属是银。

4.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述光活性层的材料是以下二组分薄膜中的任意一种:Ⅰ.由聚(3-己基噻吩)和[6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯组成的二组分薄膜;或者,Ⅱ.由聚[[2,6’-4,8-二(5-乙基己基噻吩基)苯并[1,2-b;3,3-b]二噻吩][3-氟代-2[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]和[6.6]-苯基-C71-丁酸甲酯组成的二组分薄膜。

5.如权利要求4所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述的光活性层,当为第Ⅰ种时,其质量配比为聚(3-己基噻吩):[6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯=12:(9.6~12);当为第Ⅱ种时,其质量配比为聚[[2,6’-4,8-二(5-乙基己基噻吩基)苯并[1,2-b;3,3-b]二噻吩][3-氟代-2[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]:[6.6]-苯基-C71-丁酸甲酯=10:(10~15)。

6.如权利要求4所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述的光活性层,当为第Ⅰ种时,其厚度为80nm;当为第Ⅱ种时,厚度为120nm。

7.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阳极修饰层的材料当为第Ⅰ种时,其厚度为1-10nm;当为第Ⅱ种时,其厚度为1-10nm。

8.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层,当为第Ⅰ种时,其质量配比为2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉:碳酸锂=1:(0.01~0.5);当为第Ⅱ种时,其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉:铯=1:(0.01~0.5)。

9.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层,当为第Ⅰ种时,其厚度为5-30nm;当为第Ⅱ种时,其厚度为5-30nm;当为第Ⅲ种时,其厚度为0.5-1.5nm;当为第Ⅳ种时,其厚度为0.5-1.5nm。

10.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阳极层的材料是铝。

11.一种制备权利要求1所述反向有机太阳能电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将阴极层覆盖在玻璃衬底上,得到阴极衬底;

2)在阴极层上沉积阴极修饰层;

3)在阴极修饰层上沉积光活性层;

4)在光活性层上沉积阳极修饰层;

5)在阳极修饰层上沉积缓冲层;

6)在缓冲层上沉积阳极层。

12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,步骤5)选用以下工艺中的任意一种:

Ⅰ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积碳酸锂掺杂的2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉薄膜,其质量配比为2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉:碳酸锂=1:(0.01~0.5),厚度为5-30nm;

或者,Ⅱ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积铯掺杂的4,7二苯基-1,10-菲啰啉薄膜,4,7二苯基-1,10-菲啰啉:铯=1:(0.01~0.5),厚度为5-30nm;

或者,Ⅲ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积氟化锂薄膜,厚度为0.5-1.5nm;

或者,Ⅳ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积碳酸铯薄膜,厚度为0.5-1.5nm。

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