[发明专利]一种反向有机太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710245812.6 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107068868B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 尚静 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 11200 北京君尚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邱晓锋<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性价比 反向 有机 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种反向有机太阳能电池,其特征在于,包括玻璃衬底上的一层阴极层、一层沉积在阴极层上的阴极修饰层、一层沉积在阴极修饰层上的光活性层、一层沉积在光活性层上的阳极修饰层、一层沉积在阳极修饰层上的缓冲层和一层沉积在缓冲层上的阳极层;所述缓冲层的材料是以下薄膜中的任意一种:Ⅰ.碳酸锂掺杂的2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉;Ⅱ.铯掺杂的4,7二苯基-1,10-菲啰啉;Ⅲ.氟化锂;Ⅳ.碳酸铯;所述阳极修饰层的材料是以下薄膜中的任意一种:Ⅰ.三氧化钼;Ⅱ.1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈。
2.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阴极层的材料是导电氧化铟锡薄膜或贵金属薄膜;所述阴极修饰层的材料是乙氧基化的聚乙烯亚胺。
3.如权利要求2所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述导电氧化铟锡薄膜的面电阻小于10欧姆/sq;所述贵金属是银。
4.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述光活性层的材料是以下二组分薄膜中的任意一种:Ⅰ.由聚(3-己基噻吩)和[6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯组成的二组分薄膜;或者,Ⅱ.由聚[[2,6’-4,8-二(5-乙基己基噻吩基)苯并[1,2-b;3,3-b]二噻吩][3-氟代-2[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]和[6.6]-苯基-C71-丁酸甲酯组成的二组分薄膜。
5.如权利要求4所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述的光活性层,当为第Ⅰ种时,其质量配比为聚(3-己基噻吩):[6.6]-苯基-C61-丁酸甲酯=12:(9.6~12);当为第Ⅱ种时,其质量配比为聚[[2,6’-4,8-二(5-乙基己基噻吩基)苯并[1,2-b;3,3-b]二噻吩][3-氟代-2[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3,4-b]噻吩二基]]:[6.6]-苯基-C71-丁酸甲酯=10:(10~15)。
6.如权利要求4所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述的光活性层,当为第Ⅰ种时,其厚度为80nm;当为第Ⅱ种时,厚度为120nm。
7.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阳极修饰层的材料当为第Ⅰ种时,其厚度为1-10nm;当为第Ⅱ种时,其厚度为1-10nm。
8.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层,当为第Ⅰ种时,其质量配比为2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉:碳酸锂=1:(0.01~0.5);当为第Ⅱ种时,其质量配比为4,7二苯基-1,10-菲啰啉:铯=1:(0.01~0.5)。
9.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层,当为第Ⅰ种时,其厚度为5-30nm;当为第Ⅱ种时,其厚度为5-30nm;当为第Ⅲ种时,其厚度为0.5-1.5nm;当为第Ⅳ种时,其厚度为0.5-1.5nm。
10.如权利要求1所述的反向有机太阳能电池,其特征在于,所述阳极层的材料是铝。
11.一种制备权利要求1所述反向有机太阳能电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将阴极层覆盖在玻璃衬底上,得到阴极衬底;
2)在阴极层上沉积阴极修饰层;
3)在阴极修饰层上沉积光活性层;
4)在光活性层上沉积阳极修饰层;
5)在阳极修饰层上沉积缓冲层;
6)在缓冲层上沉积阳极层。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,步骤5)选用以下工艺中的任意一种:
Ⅰ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积碳酸锂掺杂的2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉薄膜,其质量配比为2,9-二甲基-4,7二苯基-1,10-菲啰啉:碳酸锂=1:(0.01~0.5),厚度为5-30nm;
或者,Ⅱ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积铯掺杂的4,7二苯基-1,10-菲啰啉薄膜,4,7二苯基-1,10-菲啰啉:铯=1:(0.01~0.5),厚度为5-30nm;
或者,Ⅲ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积氟化锂薄膜,厚度为0.5-1.5nm;
或者,Ⅳ.将第三步制得的沉积了活性层的中间产品放入真空镀膜机中,真空镀膜机抽到背景真空度为4×10-4Pa,采用热蒸发方式,在第四步沉积的阳极修饰层上沉积碳酸铯薄膜,厚度为0.5-1.5nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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