[发明专利]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是目前常见的液晶显示器产品。在TFT-LCD中，通常每一个像素都设有一个薄膜晶体管，而每一个像素的薄膜晶体管都需要与相应的栅极驱动电路相连接，以控制该像素内液晶透光度的变化，进而控制像素色彩的变化。GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)电路技术是目前TFT-LCD中常用的一种栅极驱动电路技术。在该技术中，栅极驱动电路被直接制作在阵列基板上，从而省掉栅极驱动集成电路部分，以便降低成本。

而阵列基板一般包括GOA区域和显示区域(AA区域)，在GOA区域中，需要通过形成贯穿GI(Gate Insulator；中文：栅极绝缘)层的过孔，将栅线与源漏金属层进行连接；在显示区域中，同样需要通过形成过孔将TFT的漏极与像素电极进行连接。

因此，现有技术中的技术方案还存在有待改进之处。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或者部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极层、源漏层，所述源漏层位于所述栅电极层上方，其中所述栅电极层过孔平台与所述源漏层过孔平台至少部分重合设置。

在本公开的一种示例性实施例中，所述源漏层过孔平台上包括至少一第一过孔。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：钝化层，所述钝化层设置于所述源漏层之上，其中，所述钝化层包括至少一第二过孔，且所述至少一第一过孔和所述至少一第二过孔形成套孔结构。

在本公开的一种示例性实施例中，所述至少一第二过孔的直径大于所述至少一第一过孔的直径。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述栅电极层和所述源漏层之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极绝缘层包括至少一第三过孔，其中所述至少一第三过孔与所述至少一第二过孔采用同一过孔掩膜板形成。

在本公开的一种示例性实施例中，所述栅极绝缘层和所述钝化层采用同一种非金属材料制成。

在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括：导电薄膜，所述导电薄膜覆盖于所述源漏层和所述套孔结构之上，用于电连接所述栅电极层和所述源漏层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述薄膜晶体管位于所述阵列基板的GOA区域。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括如上述任一所述的阵列基板。

本公开的某些实施例中的阵列基板中，通过将栅电极层过孔平台与源漏层过孔平台至少部分重合设置，能够减少阵列基板的过孔平台数量，从而能够提高UV透过率，缩短UV固化时间。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出现有技术中一种阵列基板的示意图。

图2示出本公开示例性实施例中一种栅电极层的示意图。

图3示出本公开示例性实施例中一种阵列基板的俯视图。

图4基于图3所示的阵列基板的截面图。

图5示出本公开示例性实施例中另一种阵列基板的俯视图。

图6示出基于图5所示的阵列基板的截面图。

图7示出本公开示例性实施例中又一种阵列基板的截面图。

图8示出本公开示例性实施例中一种显示装置的示意图。

具体实施方式