[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

权利要求书

1.一种用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括底层半导体层、位于底层半导体层上的绝缘层、位于绝缘层上的顶层半导体层；

在所述顶层半导体层中形成网格状的支撑层，所述网格状的支撑层表面与顶层半导体层表面齐平；

形成覆盖所述网格状的支撑层和顶层半导体层表面的格栅膜层；

刻蚀部分所述格栅膜层，在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口暴露出网格状的支撑层之间的顶层半导体层；

沿底层半导体层的表面刻蚀部分所述底层半导体层、绝缘层和网格状支撑层之间的顶层半导体，在底层半导体层、绝缘层和顶层半导体层中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的网格状支撑层的凹槽。

2.如权利要求1所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述网格状的支撑层的形成过程为：在所述顶层半导体层的表面上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露顶层半导体层的表面的网格状开口；沿网格状开口在顶层半导体层中掺杂杂质；去除所述掩膜层；进行退火，使杂质离子扩散，形成网格状的支撑层。

3.如权利要求2所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述杂质离子进行扩散时，以绝缘层作为扩散停止层，形成的网格状的支撑层的厚度等于顶层半导体层的厚度。

4.如权利要求2所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述掺杂的杂质为硼。

5.如权利要求4所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述掺入硼的浓度为大于10²²/cm3。

6.如权利要求4或5所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述掺入硼的工艺为离子注入、气源扩散或者固态源扩散。

7.如权利要求6所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述离子注入的能量大于500KeV，离子浓度剂量大于10¹⁷/cm3；所述气源扩散采用的气体为B₂H₆，所述气源扩散温度大于600℃，气源的压强为200～300mtorr；所述固态源扩散采用的固态源为氮化硼片，气体为N₂，所述固态源扩散的温度为1000～1200℃，所述气体的压强为300～mtorr。

8.如权利要求1所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述网格状的支撑层的宽度小于相邻开口之间的格栅膜层的宽度。

9.如权利要求1所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，在形成凹槽后，所述网格状的支撑层除了部分与相邻开口之间的格栅膜层接触外，且所述网格状的支撑层至少有部分与凹槽暴露的部分顶层半导体层相连，或者所述网格状的支撑层至少有部分位于凹槽暴露的顶层半导体层中。

10.如权利要求1所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层除了覆盖顶层半导体层的表面，还覆盖顶层半导体层的侧面、底层半导体层的表面和侧面、以及绝缘层的侧面。

11.如权利要求10所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层具有张应力。

12.如权利要求11所述的用于有机发光显示面板蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氮化硅，格栅膜层的厚度为1～1.5微米，张应力的大小为100～400Mpa，表面粗糙度小于20纳米。