[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法

权利要求书

1.一种用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括正面和相对的背面；

形成覆盖所述半导体基底的正面的格栅膜层；

刻蚀部分所述格栅膜层，在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口暴露出半导体基底正面表面；

沿半导体基底的背面刻蚀部分所述半导体基底，在半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽；

在形成覆盖所述半导体基底的正面的格栅膜层的步骤之前，还包括：在所述半导体基底的正面上形成掩膜层，所述掩膜层中具有暴露中半导体基底正面表面的网格状开口；沿网格状开口在半导体基底中形成网格状的支撑层，所述支撑层表面与半导体基底的正面表面齐平；去除所述掩膜层；所述网格状的支撑层的形成过程包括：沿网格状开口向暴露的半导体基底中掺入硼元素；然后进行退火。

2.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层除了覆盖半导体基底的正面，还覆盖半导体基底的背面和侧面。

3.如权利要求2所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层具有张应力。

4.如权利要求3所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氮化硅，格栅膜层的厚度为1～1.5微米，张应力的大小为100～400Mpa，表面粗糙度小于20纳米。

5.如权利要求4所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述具有张应力、材料为氮化硅的格栅膜层的形成工艺为低压炉管沉积工艺，低压炉管沉积工艺的温度大于600℃，腔室压强为0.2-7Torr，气体包括硅烷气体和NH₃，其中硅烷气体为SiH₄、SiH₂Cl₂、Si₂H₆一种或几种。

6.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述格栅膜层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述开口的侧壁为垂直侧壁，所述开口的尺寸为3～20微米。

8.如权利要求2所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述开口的形成过程包括：在半导体基底正面的格栅膜层表面上形成第一硬掩膜层，在第一硬掩膜层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层的为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层，形成图形化的硬掩膜层；去除图形化的光刻胶层；以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述格栅膜层，在格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口，且所述开口暴露出半导体基底正面表面；去除所述图形化的硬掩膜层。

9.如权利要求8所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形成过程包括：在半导体基底正面的格栅膜层表面形成保护层，且所述保护层填充满开口；在半导体基底背面的格栅膜层表面形成图形化的第二光刻胶层；以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体基底背面的格栅膜层，然后沿半导体基底的背面刻蚀半导体基底，在半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽。

10.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述半导体基底的材料为硅或锗。

11.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述掺入硼元素的浓度为大于1E22atom/cm³，深度为1～10微米。

12.如权利要求1所述的用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法，其特征在于，所述掺入硼元素的工艺为离子注入、气源扩散、固态源扩散。