[发明专利]具有护环的绝缘体上半导体（SOI）块有效
| 申请号： | 201710243165.5 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107316871B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 阮纪明;大卫·拉塞尔·蒂普尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘体 上半 导体 soi | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一导电类型的块状衬底；
所述块状衬底中的第一绝缘体上半导体SOI块；
所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一阱；
所述第一SOI块中的第二导电类型的第二阱；
围绕所述第一SOI块的周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第一导电类型的第一护环；
围绕所述第一SOI块的所述周边的至少一部分的所述第一SOI块中的所述第二导电类型的第二护环，其中所述第一导电类型不同于所述第二导电类型；
在所述块状衬底上方但不在所述第一护环和所述第二护环上方的底部氧化物层；
形成于所述底部氧化物的部分和所述第一阱上方的第一电子装置；
形成于所述底部氧化物的另一部分和所述第二阱上方的第二电子装置；
耦合于第二护环与第一电子装置的第一电流电极之间的第一导电迹线；和
耦合于第一护环与第二电子装置的第一电流电极之间的第二导电迹线。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括所述第一SOI块中的所述第一阱和所述第二阱下方的所述第二导电类型的深阱。
3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一护环和所述第二护环为连续的且围绕所述第一SOI块的全部所述周边延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括
块状硅中的第二SOI块；
所述第一护环和所述第二护环的部分在所述第一SOI块与所述第二SOI块之间。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
NMOS晶体管，所述NMOS晶体管形成于氧化物层的第一部分上，其中所述氧化物层形成于块状衬底的绝缘体上半导体SOI块上；
PMOS晶体管，所述PMOS晶体管形成于所述氧化物层的第二部分上；
第一掺杂环，所述第一掺杂环形成于所述块状衬底中且与所述SOI块间隔一段距离；
第二掺杂环，所述第二掺杂环形成于所述块状衬底中且与所述SOI块和所述第一掺杂环间隔一段距离；
第一导电迹线，所述第一导电迹线连接于所述第一掺杂环与所述NMOS晶体管的电流电极之间；
第二导电迹线，所述第二导电迹线连接于所述第二掺杂环与所述PMOS晶体管的电流电极之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
