[发明专利]一种废锅激冷一体式水煤浆水冷壁气化炉及气化方法在审

专利信息
申请号: 201710240395.6 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN106867590A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 郭庆华;于广锁;龚岩;梁钦锋;王亦飞;王辅臣;龚欣;刘海峰;许建良;代正华;陈雪莉;李伟锋;郭晓镭;王兴军;陆海峰;赵辉;刘霞 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C10J3/48 分类号: C10J3/48;C10J3/76;C10J3/86
代理公司: 上海弼兴律师事务所31283 代理人: 薛琦,邹玲
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 废锅激冷一 体式 水煤浆 水冷 气化 方法
【权利要求书】:

1.一种废锅激冷一体式水煤浆水冷壁气化炉,其特征在于,所述气化炉为一体化结构,包括一金属承压壳体,所述金属承压壳体的内部从上至下同轴设有依次连通的一气化/燃烧室、一辐射废锅和一洗涤冷却室,所述气化/燃烧室的筒体、底部渣口处分别环设有一气化/燃烧室筒体水冷壁和一气化/燃烧室渣口水冷壁,所述辐射废锅的上部入口处、直筒段和下部出口处分别环设有一辐射废锅入口水冷壁、一辐射废锅筒体水冷壁和一辐射废锅出口水冷壁,所述洗涤冷却室包括与所述辐射废锅的下部出口处轴线延伸连接的一下降管,所述下降管的上方还设有一激冷环,所述激冷环的上方、在所述洗涤冷却室的侧壁上还设有一合成气出口。

2.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述金属承压壳体在所述气化/燃烧室处的内径为2.0~5.0m;

和/或,所述金属承压壳体在所述辐射废锅处,与在所述洗涤冷却室处等径设置;较佳地,所述金属承压壳体在所述辐射废锅处、与在所述洗涤冷却室处的内径均设为3.0~7.0m。

3.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述金属承压壳体的内壁上涂有隔热材料,所述隔热材料较佳地为碳化硅或陶瓷纤维;

和/或,所述金属承压壳体的承压能力为耐高压10.0MPa以下。

4.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述气化/燃烧室的炉体顶部和/或炉体侧壁上沿至少一水平面设置一个或多个喷嘴;

和/或,所述气化/燃烧室筒体水冷壁为一列管式水冷壁或盘管水冷壁,内壁涂有碳化硅;

和/或,所述气化/燃烧室筒体水冷壁的内径为1.0~4.0m;

和/或,所述气化/燃烧室渣口水冷壁为锥形缩口结构的盘管式水冷壁,内壁涂有碳化硅;

和/或,所述气化/燃烧室渣口水冷壁还垂直延伸至所述辐射废锅的上部入口处,与所述辐射废锅入口水冷壁配合形成锥形扩口结构的辐射废锅入口。

5.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述气化/燃烧室的底部、在所述气化/燃烧室渣口水冷壁的外壁还垂直环设有一金属支撑板,用于支撑所述气化/燃烧室渣口水冷壁和所述辐射废锅筒体水冷壁;

所述辐射废锅筒体水冷壁较佳地采用吊挂的方式与所述金属支撑板的底部连接;

所述金属支撑板上较佳地还均匀设有若干开孔。

6.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述辐射废锅的下部出口处还环设有一辐射废锅锅底;

所述金属承压壳体与所述气化/燃烧室筒体水冷壁、所述辐射废锅筒体水冷壁以及所述辐射废锅锅底之间均构成夹层空间,采用所述气化炉操作时所述夹层空间内还充满与气化操作压力等压的氮气。

7.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述辐射废锅筒体水冷壁为列管式单面水冷壁,较佳地还均匀分布有若干组鳍片;所述鳍片的数量较佳地为4~32组;

和/或,所述辐射废锅出口水冷壁为锥形缩口结构的盘管式水冷壁,并向下垂直延伸至所述洗涤冷却室中所述激冷环的位置处;

和/或,还在所述辐射废锅出口水冷壁的内壁进行镍基合金材料的堆焊并涂抹碳化硅。

8.如权利要求1所述的气化炉,其特征在于,所述气化/燃烧室筒体水冷壁和所述辐射废锅筒体水冷壁采用自然循环,所述气化/燃烧室渣口水冷壁和所述辐射废锅出口水冷壁采用强制循环。

9.一种气化方法,其特征在于,所述气化方法采用如权利要求1~8任一项所述的气化炉进行,其包括如下步骤:将含碳燃料和氧化剂进料至所述气化/燃烧室内,气化生成的高温合成气和熔渣并流向下进入所述辐射废锅,再经所述下降管进入所述洗涤冷却室,合成气经初步洗涤后,经所述合成气出口排出气化炉,固体灰渣颗粒经所述洗涤冷却室的底部的水浴后由所述洗涤冷却室的底部出口排出气化炉。

10.如权利要求9所述的气化方法,其特征在于,所述含碳燃料为水煤浆,所述氧化剂为氧气;

和/或,从所述气化/燃烧室导出的高温合成气的温度为1100~1600℃;

和/或,所述高温合成气经所述辐射废锅冷却至700~1000℃;

和/或,从所述洗涤冷却室的所述合成气出口排出的合成气的温度为150~250℃,水气比为0.7以上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710240395.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top