[发明专利]导电糊料组合物和用其制成的半导体装置

权利要求书

1.一种糊料组合物，包含：

无机固体部分，该无机固体部分包含：

(a)按固体的重量计85％至99.75％的导电金属源，以及

(b)按固体的重量计0.25％至15％的包含第一易熔材料和单独的第二易熔材料的氧化物基组分，以及

有机载体，该无机固体部分的成分分散在该有机载体中，

并且其中

该第一易熔材料为以下各项之一：铅-碲-氧化物(Pb-Te-O)组合物、铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)组合物、铅-碲-锂-氧化物(Pb-Te-Li-O)组合物、或它们的混合物，并且该第二易熔材料是铋-硅-氧化物，

并且其中

该第一易熔材料具有第一玻璃化转变温度(T_g1)和第一软化点(T_s1)，并且该第二易熔材料具有第二玻璃化转变温度(T_g2)和第二软化点(T_s2)，T_g2高于T_g1并且T_s2高于T_s1，并且差值ΔT_g＝T_g2-T_g1是至少100℃或差值ΔT_s＝T_s2-T_s1是至少100℃或两者兼具。

2.如权利要求1所述的糊料组合物，其中该第二易熔材料包含，按重量百分比计：

30％至80％Bi₂O₃，

1％至50％SiO₂，

0至40％ZnO，

0至22％TeO₂，

0至12％B₂O₃，

0至6％MgO，

0至9％CaO，

0至15％BaO，

0至7％Al₂O₃，

0至12％Na₂O，

0至8％Li₂O，以及

0至4％Fe₂O₃。

3.如权利要求1所述的糊料组合物，其中铅-碲-氧化物(Pb-Te-O)组合物、铅-碲-硼-氧化物(Pb-Te-B-O)组合物和铅-碲-锂-氧化物(Pb-Te-Li-O)组合物中的铅与碲的摩尔比在5/95与95/5之间。

4.如权利要求1所述的糊料组合物，其中该第二易熔材料是该氧化物基组分的按重量计最多40％。

5.一种在半导体基底上形成导电结构方法，包括：

(a)提供半导体基底，该半导体基底包括位于该半导体基底的至少一个表面上的绝缘层；

(b)将如通过前述权利要求中任一项所述的糊料组合物施用到该绝缘层的至少一部分上，并且

(c)烧制该半导体基底、该绝缘层、以及该糊料组合物，使得该绝缘层被穿透并且该导电金属被烧结，由此形成电接触该半导体基底的电极。

6.一种半导体装置，通过权利要求5所述的方法制成。