[发明专利]一种基于简化对偶复合左右手结构的超宽带耦合器

权利要求书

1.一种基于简化对偶复合左右手结构的超宽带耦合器，其特征在于，该超宽带耦合器包括：覆铜金属结构、介质基板结构；

所述覆铜金属结构共三层，所述介质基板结构共两层；

顶层的所述覆铜金属结构位于上层的所述介质基板结构的上表面；

中层的所述覆铜金属结构位于上层的所述介质基板结构和下层的所述介质基板结构之间，作为公共接地面(4)；

底层的所述覆铜金属结构位于下层的所述介质基板结构的下表面；

顶层和底层的所述覆铜金属结构均包括：微带馈线(1)、微带贴片(2)、简化对偶复合左右手结构(3)。

2.根据权利要求1所述的超宽带耦合器，其特征在于，顶层的所述覆铜金属结构中，所述微带贴片(2)位于所述覆铜金属结构中央，且所述微带贴片(2)的左右两侧各自与一条所述微带馈线(1)连接；

左侧的所述微带馈线(1)向前弯折90°，右侧的所述微带馈线(1)向后弯折90°；

所述简化对偶复合左右手结构(3)有两对，每对所述简化对偶复合左右手结构(3)中：一个所述简化对偶复合左右手结构(3)设置在所述微带贴片(2)的前侧，另一个所述简化对偶复合左右手结构(3)设置在所述微带贴片(2)的后侧；

所述微带贴片(2)的左前和右后的所述简化对偶复合左右手结构(3)均为方形的右手螺旋结构，所述微带贴片(2)的右前和左后的所述简化对偶复合左右手结构(3)均为方形的左手螺旋结构。

3.根据权利要求1所述的超宽带耦合器，其特征在于，底层的所述覆铜金属结构中，所述微带贴片(2)位于所述覆铜金属结构中央，且所述微带贴片(2)的左右两侧各自与一条所述微带馈线(1)连接；

左侧的所述微带馈线(1)向后弯折90°，右侧的所述微带馈线(1)向前弯折90°；

所述简化对偶复合左右手结构(3)有两对，每对所述简化对偶复合左右手结构(3)中：一个所述简化对偶复合左右手结构(3)设置在所述微带贴片(2)的前侧，另一个所述简化对偶复合左右手结构(3)设置在所述微带贴片(2)的后侧；

所述微带贴片(2)的左前和右后的所述简化对偶复合左右手结构(3)均为方形的右手螺旋结构，所述微带贴片(2)的右前和左后的所述简化对偶复合左右手结构(3)均为方形的左手螺旋结构。

4.根据权利要求2或3所述的超宽带耦合器，其特征在于，中层的所述覆铜金属结构的中心时刻有方槽的缺陷结构。

5.根据权利要求4所述的超宽带耦合器，其特征在于，所述微带贴片(2)的宽度W1为6mm，宽度为15mm。

6.根据权利要求5所述的超宽带耦合器，其特征在于，所述方槽的长度L2为15mm，宽度W2为14mm。

7.根据权利要求6所述的超宽带耦合器，其特征在于，两对所述简化对偶复合左右手结构(3)之间的距离L1为7.7mm；

所述简化对偶复合左右手结构(3)的覆铜金属的宽度W3为0.2mm，缝隙的宽度S为0.2mm，最外圈的最大边长L3为2.5mm，最内圈的宽度L5为0.8mm。

8.根据权利要求5至7任一所述的超宽带耦合器，其特征在于，所述微带馈线(1)的线阻抗为50Ω；

所述介质基板结构采用聚四氟乙烯材料制成，且介电常数为2.55；

所述超宽带耦合器的整体尺寸为40.52mm×22.76mm。