[发明专利]光诱导介电泳装置在审

专利信息
申请号: 201710238617.0 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN108007849A 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 吴宏伟;洪政源;叶昌鑫 申请(专利权)人: 统创科技股份有限公司
主分类号: G01N15/14 分类号: G01N15/14
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;丛芳
地址: 中国台湾新北市永和*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光诱导 电泳 装置
【权利要求书】:

1.一种光诱导介电泳装置,用以对流体进行分选处理,所述流体包含多个第一微粒子和多个第二微粒子,其特征在于,所述光诱导介电泳装置包含:

光诱导介电泳晶片,包含:

第一电极层;

第二电极层,其中所述第二电极层与所述第一电极层相对设置;

半导体层,设置于所述第一电极层上;以及

流道层,设置于所述第二电极层与所述半导体层之间,所述流道层定义第一流道、第二流道和第三流道,其中所述第一流道、所述第二流道和所述第三流道分别用以引导所述流体、所述多个第一微粒子和所述多个第二微粒子,且所述第一流道、所述第二流道和所述第三流道交会于会合处;其中所述流道层还定义包含所述会合处的投射区域,用以使图案化光源投射在投射区域上,从而改变产生于所述第一电极层与所述第二电极层之间的电场,其中所述电场引导位于所述会合处内的所述多个第一微粒子和所述多个第二微粒子分别朝向所述第二流道和所述第三流道移动;以及

不透光卡匣,包覆所述光诱导介电泳晶片,其中所述不透光卡匣具有开口,所述开口在所述流道层的垂直投影与所述投射区域重叠。

2.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述第一电极层与所述第二电极层包含透明导电材料。

3.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述半导体层包含间接能隙材料,且所述半导体层的晶体结构为非晶、微晶、多晶或单晶。

4.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述流道层的厚度为30微米至150微米,且所述投射区域的尺寸为1毫米×1毫米至10毫米×10毫米。

5.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述流道层还定义注入开口、第一流出开口和第二流出开口,其中所述流体经由所述注入开口注入至所述第一流道,所述多个第一微粒子经所述第二流道从所述第一流出开口流出,且所述多个第二微粒子经所述第三流道从所述第二流出开口流出。

6.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述光诱导介电泳晶片还包含:

第一缓冲层,其中所述第一电极层设置于所述第一缓冲层上;以及

第二缓冲层,设置于所述第二电极层上。

7.如权利要求6所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述光诱导介电泳晶片还包含:

上基板,设置于所述第二缓冲层上;以及

下基板,其中所述第一缓冲层设置于所述下基板上。

8.如权利要求7所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述上基板与所述下基板为透明基板。

9.如权利要求6所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述第一缓冲层用以增强所述第一电极层与所述下基板之间的晶格匹配,且所述第二缓冲层用以增强所述第二电极层与所述上基板之间的晶格匹配。

10.如权利要求1所述的光诱导介电泳装置,其特征在于,所述不透光卡匣具有注入接口、第一流出接口和第二流出接口,其中所述注入接口用以使得所述流体注入至所述光诱导介电泳晶片,所述第一流出接口用以使得所述多个第一微粒子流出至所述光诱导介电泳晶片外,且所述第二流出接口用以使得所述多个第二微粒子流出至所述光诱导介电泳晶片外。

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