[发明专利]鳍状结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710236563.4 申请日: 2017-04-12
公开(公告)号: CN108695162B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 李昆儒;许力介;廖羿涵;陆俊岑;林志勋;刘昕融 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种鳍状结构的制造方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成沿着第一方向延伸的图案化的触媒层与图案化的钝化层,所述图案化的钝化层位于所述图案化的触媒层上;

在所述图案化的触媒层的至少一侧形成碳层,所述碳层包括沿着所述第一方向排列的多个空心碳管,其中每一空心碳管沿着第二方向延伸;

进行移除工艺,以移除每个空心碳管的上部及下部中最接近所述衬底的部分,以使留下多个残部做为掩模层,其中相邻的两个残部形成沿着所述第二方向延伸的条形图案;

移除所述图案化的钝化层与所述图案化的触媒层;

将所述掩模层的图案转移至所述衬底,以形成多个鳍状结构;以及

移除所述掩模层。

2.根据权利要求1所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的触媒层包括第一触媒图案与第二触媒图案,且所述碳层形成在所述第一触媒图案与所述第二触媒图案之间。

3.根据权利要求2所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的钝化层还覆盖所述第一触媒图案的第二侧以及所述第二触媒图案的第二侧,使所述多个空心碳管从所述第一触媒图案的第一侧向所述第二触媒图案的所述第二侧沿着所述第二方向成长。

4.根据权利要求2所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的触媒层还包括第三触媒图案,位于所述第一触媒图案与所述第二触媒图案之间;

其中所述图案化的钝化层还覆盖所述第一触媒图案的第二侧以及所述第二触媒图案的第一侧。

5.根据权利要求4所述的鳍状结构的制造方法,其中所述多个空心碳管是从所述第一触媒图案的第一侧沿着所述第二方向成长以及从所述第三触媒图案的第二侧沿着负的所述第二方向成长接合而成,以及从所述第三触媒图案的第一侧沿着所述第二方向成长以及从所述第二触媒图案的第二侧沿着负的所述第二方向成长接合而成。

6.根据权利要求1所述的鳍状结构的制造方法,还包括在形成所述图案化的触媒层之前,在所述衬底上形成硬掩模层。

7.根据权利要求6所述的鳍状结构的制造方法,还包括:

在将所述掩模层的图案转移至所述衬底之前,以所述掩模层为掩模,图案化所述硬掩模层,以形成图案化的硬掩模层;以及

在形成所述多个鳍状结构后,移除所述图案化的硬掩模层。

8.根据权利要求7所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的硬掩模层与所述图案化的钝化层的材料不同。

9.根据权利要求8所述的鳍状结构的制造方法,其中移除所述图案化的钝化层的方法包括进行各向同性蚀刻工艺、各向异性蚀刻工艺或其组合。

10.根据权利要求6所述的鳍状结构的制造方法,其中所述硬掩模层包括导体、介电材料或其组合。

11.根据权利要求10所述的鳍状结构的制造方法,其中所述硬掩模层包括铂、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化铜、氮氧化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。

12.根据权利要求1所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的钝化层包括导体、介电材料或其组合。

13.根据权利要求12所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的钝化层包括铂、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅或氮碳氧化硅。

14.根据权利要求1所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的触媒层包括金属或金属合金。

15.根据权利要求14所述的鳍状结构的制造方法,其中所述图案化的触媒层包括铁、钴、镍、铜或其合金。

16.根据权利要求1所述的鳍状结构的制造方法,还包括在移除所述图案化的钝化层与所述图案化的触媒层之后,且在将所述掩模层的图案转移至所述衬底之前,对所述掩模层进行退火工艺。

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