[发明专利]一种N、P元素掺杂改性VO2 有效
申请号: | 201710236244.3 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107133449B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 赵修建;詹雨迪;李能 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | G16C20/30 | 分类号: | G16C20/30;G01N25/12 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 乔宇 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 元素 掺杂 改性 vo base sub | ||
1.一种N、P元素掺杂改性VO2材料相变温度的预测方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
S1、选择N、P元素对VO2材料进行掺杂,通过材料模型构建软件构建不同相以及不同元素掺杂的多个VO2元素差异模型;
S2、通过模拟优化软件VASP对VO2元素差异模型进行结构优化,计算得到各个VO2元素差异模型达到稳定结构的晶格常数、形成能和态密度,根据不同元素掺杂的VO2模型的形成能大小得出最佳掺杂元素的种类;
S3、选择VO2材料中N、P元素不同的掺杂配比,通过材料模型构建软件构建不同掺杂配比的多个VO2配比差异模型;
S4、通过模拟优化软件VASP对VO2配比差异模型进行结构优化,计算得到各个VO2配比差异模型达到稳定结构的形成能和态密度,根据VO2元素差异模型和VO2配比差异模型的态密度绘制态密度图,根据VO2元素差异模型和VO2配比差异模型的形成能计算相变温度,结合态密度图和相变温度的变化量,得出最佳掺杂元素的配比;
步骤S1中的VO2元素差异模型包括:
对VO2材料中的单斜相VO2材料建立2×2×1的超晶胞,得到未掺杂的单斜相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的四方相VO2材料建立2×2×2的超晶胞,得到未掺杂的四方相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的单斜相VO2材料建立2×2×1的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的1个O原子用N原子替换,得到N掺杂配比为3.125at%的单斜相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的四方相VO2材料建立2×2×2的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的1个O原子用N原子替换,得到N掺杂配比为3.125at%的四方相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的单斜相VO2材料建立2×2×1的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的1个O原子用P原子替换,得到P掺杂配比为3.125at%的单斜相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的四方相VO2材料建立2×2×2的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的1个O原子用P原子替换,得到P掺杂配比为3.125at%的四方相VO2超晶胞模型;
步骤S3中的VO2配比差异模型包括:
对VO2材料中的单斜相VO2材料建立2×2×1的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的2个O原子用N原子替换,得到N掺杂配比为6.25at%的单斜相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的四方相VO2材料建立2×2×2的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的2个O原子用N原子替换,得到N掺杂配比为6.25at%的四方相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的单斜相VO2材料建立2×2×1的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的2个O原子用P原子替换,得到P掺杂配比为6.25at%的单斜相VO2超晶胞模型;
对VO2材料中的四方相VO2材料建立2×2×2的超晶胞,选取任意一个晶胞单原体的2个O原子用P原子替换,得到P掺杂配比为6.25at%的四方相VO2超晶胞模型;
通过模拟优化软件VASP对模型进行结构优化的方法为:
通过VEST软件将VO2元素差异模型和VO2配比差异模型转为VASP格式,设置模拟优化软件VASP的四个输入文件:计算控制参数文件、K点取样设置文件、描述体系结构文件和赝式文件,进而通过模拟优化软件VASP得到结构优化后的稳定结构数据文件;
该方法中计算晶格常数的方法为:根据稳定结构数据文件,通过VEST软件显示优化稳定结构,根据显示结果得到晶格常数;
该方法中计算形成能和态密度的方法为:根据稳定结构数据文件,进行静态自洽计算,得到能量最低体系,再对其进行迭代计算得到形成能,并根据布里渊区划分计算态密度。
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