[发明专利]一种集成触摸设计的OLED屏体在审
| 申请号: | 201710233839.3 | 申请日: | 2017-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN108695360A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
| 发明(设计)人: | 朱映光;鲁天星;李育豪;谢静;胡永岚 | 申请(专利权)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人: | 彭秀丽 |
| 地址: | 065500 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘层 触摸层 导电 基板 触摸电极 触摸 电极 阴极层 电性连接 依次设置 封装层 阳极层 有机层 沉积 搭接 减薄 | ||
本发明公开了一种集成触摸设计的OLED屏体,包括基板(1)和依次设置于所述基板(1)上的阳极层(2)、有机层(3)和阴极层(4),所述阴极层(4)上沉积有绝缘层(5),所述绝缘层(5)上依次设有导电触摸层(6)和封装层(7),所述基板(1)上还设有触摸电极(8),所述导电触摸层(6)与所述触摸电极(8)电性连接。本发明通过在电极之上设置绝缘层,在绝缘层之上设置导电触摸层,将触摸层集成在器件的内部,并通过直接电极搭接的方式引出,使得整个触摸OLED屏体厚度大幅度减薄,且结构简单,易于实现屏体制备。
技术领域
本发明涉及OLED技术领域,具体涉及一种集成触摸设计的OLED屏体。
背景技术
OLED屏体具有轻薄、可弯曲的特点,在触摸设计中具有非常大的优势,目前采用的在OLED屏体上集成触摸设计的方法一般为直接贴合导电膜层,存在厚度较厚,导电薄膜容易破损的缺点。
中国专利文献CN201749442U公开了一种具有触摸屏的有机发光器件,包括通过有机密封环粘合连接的OLED玻璃基板和OLED封装盖板,OLED玻璃基板与OLED封装盖板之间依次沉积或涂覆有OLED本体、无机薄膜密封层、有机密封层和触摸屏本体;OLED导线与OLED本体的导电层连接并伸出有机密封环,触摸屏导线与触摸屏本体的导电层连接并伸出有机密封环,采用上述方案虽然能够降低整个器件的厚度,但由于OLED本体与触摸屏本体分别制备在基板和封装盖上,且需要OLED导线和触摸屏导线,使得本发明的方案制作工艺复杂,不易于一体化成型,同时上述技术方案为基于封装盖的设计,并不适用于柔性OLED器件。
发明内容
本发明为了解决现有技术中OLED触摸屏体制备工艺复杂,屏体厚,不易成型的技术问题,提供了一种集成触摸设计的OLED屏体。
所采用技术方案如下所述:
一种集成触摸设计的OLED屏体,包括基板和依次设置于所述基板上的阳极层、有机层和阴极层,所述阴极层上沉积有绝缘层,所述绝缘层上依次设有导电触摸层和封装层,所述基板上还设有触摸电极,所述导电触摸层与所述触摸电极电性连接。
所述触摸电极设置于所述基板的边缘位置,所述导电触摸层与所述触摸电极相搭接。
所述触摸电极设置于所述阳极层和阴极层的引线区同侧。
所述阳极层为透明导电层。
所述阳极层为ITO或IZO或AZO透明导电氧化物薄膜,所述阴极层为金属Ag或者Al薄膜。
所述阴极层为透明导电层。
所述阳极层为多层结构,所述阴极层为金属、透明金属氧化物薄膜和有机透明导电薄膜中的一种组成。
所述导电触摸层为金属或者透明导电氧化物薄膜,其通过边缘部分与设置在所述基板一侧的触摸电极相搭接。
所述封装层为有机无机复合物薄膜或传统封装结构。
所述绝缘层为SiN/SiO层、SiON层和SiC层中的一种。
本发明相对于现有技术具有如下有益效果:
A.本发明通过在电极之上设置绝缘层,在绝缘层之上设置导电触摸层,将触摸层集成在器件的内部,同时将触摸电极设置在基板上,且与阳极层位于同一平面上,使得整个触摸OLED屏体厚度大幅度减薄,结构简单,易于实现屏体制备。
B.具有本发明结构的触摸屏体与背景技术相比,本发明通过搭接区的设计,使得导电触摸层可以与触摸电极进行有效搭接,不需额外的引出部分就能实现导电触摸层与外电路的导通,工艺简单。
C.本发明在导电触摸层之上设置封装层,可有效的保护导电触摸层,使其免受外部环境的破坏,同时有机无机复合的薄膜封装结构使本发明同样适用于柔性OLED器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





