[发明专利]一种基准电压电路及程控电源

说明书

技术领域

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及的是一种基准电压电路及程控电源。

背景技术

基准电压产生电路是应用于模拟电路设计、混合信号电路设计以及数字设计中的基本模块单元，它的作用是为系统提供一个不随温度及供电电压变化的基准电压。在基准电压产生电路中，温度系数(TC，Temperature Coefficient)和电源抑制比(PSRR，Power Supply Rejection Ratio)这两个参数对电源性能的好坏起着决定性的作用，高精度、低功耗、高电源抑制比、低温度系数的基准电压产生电路对于整个电路来说至关重要。传统的带隙基准电压通过将两个具有正负温度系数的电压进行线性叠加即可得到零温度系数的基准电压。两个双极型三极管的基极-发射极电压的差值是与绝对温度成正比的，双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数性质，利用这两种不同性质的电压配以一定的比例得到与温度变化无关的基准电压。由于传统的基准电压产生电路只进行线性补偿，精度差，在温度范围变化较大时，产生的电压通常不太理想，尤其是在一些对电压精度要求比较高的电路中，线性补偿后产生的电压远远不能满足要求。基于此，本发明提供了一种具有更高精度、更高PSRR的低温度系数基准电压产生电路及程控电源。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有基准电压产生电路电源抑制比低、温度系数大的问题，提供了一种高精度、高电源抑制比和低温度系数的基准电压电路及程控电源。

本发明提供了一种带有非线性补偿的低温度系数基准电压电路，包括启动电路和基准电压产生电路；所述启动电路包括：第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的电源VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；第二电容C2的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第二电容C2的另一端连接第一NMOS管N1的漏极，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极连接第二PMOS管P2的漏极和第二NMOS管N2的漏极，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二NMOS管N2的栅极，第二NMOS管N2的源极接地；