[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构；

在所述栅极结构两侧的基底内形成轻掺杂区，所述轻掺杂区内具有轻掺杂离子；

在所述栅极结构两侧的基底内形成空隙丰富区，所述空隙丰富区内具有空隙，所述空隙丰富区与部分所述轻掺杂区重叠，所述空隙丰富区与所述轻掺杂区具有第一重叠区域，且第一重叠区域的面积占空隙丰富区的面积的比率为1/2~2/3；

在部分所述轻掺杂区和部分基底内形成源漏区，所述源漏区内具有源漏离子，部分所述源漏区与所述空隙丰富区重叠，所述源漏区与空隙丰富区具有第二重叠区域，所述第二重叠区域的面积占空隙丰富区的面积的比率为：1/2~2/3。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述空隙丰富区的形成工艺包括：无掩膜离子注入工艺；所述无掩膜离子注入工艺的参数包括：注入离子包括硅离子，注入能量为10千电子伏~100千电子伏，注入离子浓度为1.0e¹³原子数/平方厘米~1.0e¹⁶原子数/平方厘米，注入角度为0度~45度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述轻掺杂区之后，形成所述空隙丰富区。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层以及位于栅介质层上的栅极层；形成所述轻掺杂区之前，还包括：在所述栅极结构的侧壁上形成偏移侧墙。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成轻掺杂区之后，形成空隙丰富区之前，还包括：在偏移侧墙的侧壁上形成主侧墙；所述主侧墙包括：位于偏移侧墙侧壁上的第一氧化层、位于第一氧化层上的氮化层以及位于所述氮化层上的第二氧化层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层和第二氧化层的材料均包括：氧化硅；所述氮化层的材料包括：氮化硅；所述第一氧化层、氮化层和第二氧化层的形成工艺均包括：化学气相沉积工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的参数包括：温度为600摄氏度~800摄氏度，时间为2小时~10小时。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述空隙丰富区之后，形成所述源漏区。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述轻掺杂区之前，形成所述空隙丰富区。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介质层以及位于栅介质层上的栅极层；形成所述空隙丰富区之后，形成所述轻掺杂区之前，还包括：在所述栅极结构的侧壁上形成偏移侧墙。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述轻掺杂区之后，还包括：在偏移侧墙的侧壁上形成主侧墙；在所述栅极结构和主侧墙两侧的基底内形成源漏区。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述空隙丰富区之后，还包括：对所述空隙丰富区进行退火处理。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：退火温度为900摄氏度~1150摄氏度，退火时间为5秒~20秒。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：第一区和第二区；所述第一区用于形成NMOS晶体管；所述第二区用于形成PMOS晶体管。