[发明专利]一种单面量子点CSP背光源及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及到背光技术领域，特别是一种单面量子点CSP背光源。

背景技术

现有的CSP分为五面发光CSP和单面CSP。其中，五面CSP为芯片顶部和四周都发光，出光角度大；单面CSP内芯片的四周为白墙，顶部为荧光胶，只有顶部一个面发光，光的一致性和指向性较好。现有技术提供的五面CSP存在侧壁支撑不足，容易导致胶体破裂等异常。现有技术在CSP上也没有用到量子点技术。

量子点(Quantum Dot)，又叫纳米晶，是由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，粒径1～10nm。量子点的量子限域效应明显，将半导体中载流子限定在微小的三维空间内。受到光电刺激时，载流子会被激发跳跃到更高的能级，这些载流子回到原来较低能级时，会发出固定波长的光。量子点荧光粉具有较宽的吸收谱和较窄的激发谱，具有比传统荧光粉，更优秀的光电性能，NTSC高达140％。通过改变量子点颗粒尺寸和化学组成，可以使发射光谱覆盖整个可见光区域。寿命方面，量子点荧光粉是传统荧光粉寿命的3～5倍，且具有很好的光稳定性。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种单面量子点CSP背光源，包括发光的倒装芯片，还包括包围在该发光倒装芯片四周的白墙及顶部的量子点荧光胶体；所述量子点荧光胶体为溶有量子点荧光粉的封装胶水固化形成的。

较佳地，所述倒装芯片为掺杂In的GaN蓝光芯片，具有发出蓝光的能力；量子点荧光粉具有吸收蓝光，并激发更长波长的光；芯片的蓝光和量子点荧光粉激发出的光混合成白光。

较佳地，所述量子点荧光粉为BaS、AgInS₂、NaCl、Fe₂O₃、In₂O₃、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(S_xSe_1-x)、BaTiO₃、PbZrO₃、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃中的至少一种。

较佳地，所述量子点荧光胶体还溶有YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉或β-SiAlON。

较佳地，所述白墙与倒装芯片之间设有量子点荧光胶。

较佳地，所述白墙内部设有金属支撑。

本发明还提供了一种单面量子点CSP背光源的制备方法，其包括以下步骤：

S1：将倒装芯片放入载板的模塑支架上；

S2：配制量子点荧光胶。将量子点红粉和绿粉溶于甲苯，再倒入封装胶水中，充分混合后，去除甲苯，得到量子点荧光胶；

S3：在支架包裹的倒装芯片上方涂敷荧光胶体；

S4：将涂敷荧光胶体，并包含倒装芯片的模塑放入模具中；

S5:通过热压成型设备，将量子点荧光胶体与模塑真空压合成型，使量子点荧光胶体固化；

S6：模具剥离胶体，形成单面量子点CSP背光源；

S7：将塑壳白墙包裹四周的量子点CSP背光源与载板分离。

本发明具有以下有益效果：

工作温度低，减少量子点粉因温度衰减。在同样电流驱动时，CSP采用大功率倒装芯片比传统灯珠产生的热更低；

中心光源亮度高，一致性好。单面量子点CSP背光源具有光源集中在顶部发光，中心亮度高；

良品率高。量子点CSP封装工艺减少了固晶、打线环节，因为固晶、打线次数，造成的异常率较高；

产能提升。量子点CSP背光源制作过程中，避免芯片固晶、焊线抓取次数，缩短制程时间，提升产能；

CSP结构较为坚固。采用白墙包裹芯片四周，减少CSP的荧光胶水的支撑不足，造成的破损。

附图说明

图1为本发明实施例提供的单面量子点CSP背光源截面图；

图2为本发明实施例提供的单面量子点CSP背光源俯视图。

具体实施方式

如图1与图2所示，本发明实施例提供了一种单面量子点CSP背光源，包括发光的倒装芯片1，还包括包围在该发光倒装芯片1四周的白墙3及顶部的量子点荧光胶体2；所述量子点荧光胶体2为溶有量子点荧光粉的封装胶水固化形成的。