[发明专利]用于HFET器件的保护绝缘体

权利要求书

1.一种高压场效应晶体管(HFET)，包括：

第一半导体材料、第二半导体材料和异质结，其中所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间；

多个复合钝化层，其中多个所述复合钝化层中的第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，其中多个所述复合钝化层中的第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层，其中所述第一绝缘层具有比所述第一钝化层更宽的带隙，所述第二绝缘层具有比所述第二钝化层更宽的带隙并且其中所述第二钝化层布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；

栅极电介质，所述栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间；

栅极电极，所述栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间；

第一栅极场板，所述第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，其中所述第一栅极场板与所述栅极电极耦接；

源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和漏极电极与所述第二半导体材料耦接；以及

源极场板，其中所述源极场板与所述源极电极耦接。

2.根据权利要求1所述的HFET，进一步包括第三钝化层，其中所述第二绝缘层布置在所述第二钝化层和所述第三钝化层之间。

3.根据权利要求2所述的HFET，进一步包括布置在所述第二绝缘层和所述第三钝化层之间的第二栅极场板。

4.根据权利要求2所述的HFET，其中所述源极场板布置在所述第二钝化层和所述第三钝化层之间，并且其中所述第一栅极场板布置在所述第一绝缘层和所述第二钝化层之间。

5.根据权利要求4所述的HFET，其中所述第一绝缘层的横向边界与所述源极场板的横向边界基本上同延，并且其中所述第二绝缘层的横向边界与所述源极场板的横向边界基本上同延。

6.根据权利要求2所述的HFET，进一步包括：

第三复合钝化层，所述第三复合钝化层包括所述第三钝化层和第三绝缘层；

第四钝化层，其中所述第三绝缘层布置在所述第三钝化层和所述第四钝化层之间；以及

第二栅极场板，所述第二栅极场板与所述第一栅极场板耦接，其中，所述第二栅极场板布置在所述第二钝化层和所述第三钝化层之间，并且其中所述源极场板布置在所述第三钝化层和所述第四钝化层之间。

7.根据权利要求6所述的HFET，进一步包括第三栅极场板，所述第三栅极场板耦接至所述第二栅极场板并且布置在所述第三钝化层和所述第四钝化层之间。

8.根据权利要求6所述的HFET，其中所述第一绝缘层的横向边界与所述第一栅极场板的横向边界基本上同延，其中所述第二绝缘层的横向边界与所述第二栅极场板的横向边界基本上同延，并且其中所述第三绝缘层的横向边界与所述源极场板的横向边界基本上同延。

9.根据权利要求1所述的HFET，其中所述栅极电介质和多个所述复合钝化层中的所述第一绝缘层由相同的材料组分制成。

10.根据权利要求1所述的HFET，其中多个所述复合钝化层中的所述第一钝化层和所述第二钝化层包括SiN，并且其中所述栅极电介质和所述第一绝缘层包括金属氧化物。

11.根据权利要求1所述的HFET，其中多个所述复合钝化层中的绝缘层被布置以防止多个所述复合钝化层中的钝化层充电。

12.根据权利要求1所述的HFET，其中所述漏极电极从所述第二半导体材料延伸，穿过多个所述复合钝化层中的至少一个。