[发明专利]一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710231843.6 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107083530B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王丽娟;范思大;张梁;张沛沛;朱阳阳;尹丽;孙丽晶;李占国 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 量子点 红荧烯 薄膜 衬底 化学活性 诱导生长 高温高压反应釜 高化学活性 量子点表面 氧化石墨烯 边缘横向 边缘生长 点状分布 横向诱导 晶体生长 溶剂热法 结晶性 诱导层 生长 乙醇 烘干 量子 下沿 旋涂 制备 切割 诱导 改进 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法包括：石墨烯量子点（1）横向诱导层和红荧烯分子（2）沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长在二氧化硅衬底（3）上；
石墨烯量子点（1）横向诱导层，采用旋涂方法将溶于乙醇溶液中的石墨烯量子点涂布在二氧化硅衬底（3）上，前转速为800rpm下旋涂6s，接着在后转速2600rpm下旋涂45s，置于60℃烘箱中1.0h，形成点状分布的石墨烯量子点（1）横向诱导层，石墨烯量子点直径为30-50nm，石墨烯量子点间距为50-100nm；
红荧烯分子（2）沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长层，带有石墨烯量子点（1）横向诱导层的二氧化硅衬底（3）置于蒸镀设备中，在6×10-4Pa真空环境中慢速蒸镀红荧烯分子，衬底温度为70ºC，蒸镀速度为0.5-1Å/min，红荧烯分子（2）沿着高化学活性石墨烯量子点边缘生长，逐渐铺满 整个衬底，生长厚度20nm的红荧烯薄膜。
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