[发明专利]一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法

权利要求书

1.一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤（1）：将氯甲基化聚砜放入质量分数为5%的三甲胺水溶液中，所述氯甲基化聚砜与三甲胺水溶液的投料质量比为1：10，在800-1500r/min的转速下磁力搅拌12-36h后，真空抽滤，除去多余的三甲胺水溶液，在25-45℃下真空烘干，制得荷正电聚砜；

步骤（2）：取过量的步骤（1）制得的荷正电聚砜溶解于乙二醇甲醚中，在常温下以800-1500r/min的转速搅拌24小时充分溶解，真空抽滤后，取滤液，将滤液烘干测定滤液中荷正电聚砜的溶质含量；

步骤（3）：取步骤（2）制得的滤液加入乙二醇甲醚中，配置成浓度不同的铸膜液，所述铸膜液以荷正电聚砜为溶质、质量分数为0.1%-0.9%，然后将铸膜液均匀涂覆在聚砜超滤底膜上，涂覆次数为1-3次，涂覆后静置5-15分钟使反应完全，再将多余的铸膜液移除，最后将膜放入烘箱中在30℃-40℃的温度范围内烘干，制得最终产品膜。

2.按照权利要求1所述的一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法，其特征在于，所述步骤（1）中磁力搅拌时间为24小时，真空烘干温度为35℃。

3.按照权利要求1所述的一种氯甲基化聚砜制备荷正电纳滤膜的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，铸膜液的涂覆次数为2次，涂覆后的静置时间为10分钟。