[发明专利]阵列基板及该阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管，设置于所述基板之上；

像素电极，设置于所述基板之上且与所述薄膜晶体管的漏极接触；

公共电极，设置于所述像素电极之上且与所述像素电极电绝缘，所述公共电极中具有多个第一通孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述薄膜晶体管之上和所述像素电极之下，在所述像素电极之下的所述钝化层具有多个凸起，所述像素电极中具有多个第二通孔，所述凸起穿过对应的所述第二通孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极设置于所述凸起之上，所述第一通孔对应于相邻的两个凸起之间。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

栅极，设置在所述基板上；

栅极绝缘层，设置在所述基板和所述栅极上；

有源层，设置在所述栅极绝缘层上；

第一N型导电层和第二N型导电层，彼此间隔设置在所述有源层上；

源极和漏极，分别设置在第一N型导电层和所述第二N型导电层上，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上；

其中，所述像素电极位于在所述基板上的所述栅极绝缘层上，在所述基板上的钝化层位于所述像素电极和在所述基板上的所述栅极绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述薄膜晶体管和所述像素电极之上，在所述像素电极之上的所述钝化层具有多个凸起，所述公共电极设置于所述凸起之上，所述第一通孔对应于相邻的两个凸起之间。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

栅极，设置在所述基板上；

栅极绝缘层，设置在所述基板和所述栅极上；

有源层，设置在所述栅极绝缘层上；

第一N型导电层和第二N型导电层，彼此间隔设置在所述有源层上；

源极和漏极，分别设置在第一N型导电层和所述第二N型导电层上，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上；

其中，在所述基板上的像素电极位于在所述基板上的所述栅极绝缘层上。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管和所述基板上制作形成第一钝化层；

在所述第一钝化层中制作形成将所述薄膜晶体管的漏极暴露的过孔；

在所述基板上的第一钝化层上制作形成具有多个第一通孔的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极接触；

在所述第一钝化层和所述像素电极上制作形成第二钝化层，所述第二钝化层填充所述第一通孔；

在所述像素电极上的第二钝化层上制作形成具有多个第二通孔的公共电极，所述第一通孔和所述第二通孔交错设置；

将所述薄膜晶体管之上的第二钝化层和由所述第二通孔暴露出的第二钝化层刻蚀去除。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上制作形成薄膜晶体管的方法包括：

在所述基板上制作形成栅极；

在所述基板和所述栅极上制作形成所述栅极绝缘层；其中，在所述基板上的第一钝化层位于在所述基板上的栅极绝缘层上；

在所述栅极上的栅极绝缘层上制作形成有源层；

在所述有源层上制作形成彼此间隔的第一N型导电层和第二N型导电层；

在所述第一N型导电层和所述第二N型导电层上分别制作形成源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上制作形成薄膜晶体管；

在所述基板上制作形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极接触；

在所述薄膜晶体管和所述像素电极上制作形成钝化层；

在所述像素电极上的钝化层上制作形成具有多个通孔的公共电极；

将所述薄膜晶体管之上的钝化层的部分和由所述第二通孔暴露出的钝化层的部分刻蚀去除。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上制作形成薄膜晶体管的方法包括：

在所述基板上制作形成栅极；

在所述基板和所述栅极上制作形成所述栅极绝缘层；其中，在所述基板上的像素电极位于在所述基板上的栅极绝缘层上；

在所述栅极上的栅极绝缘层上制作形成有源层；

在所述有源层上制作形成彼此间隔的第一N型导电层和第二N型导电层；

在所述第一N型导电层和所述第二N型导电层上分别制作形成源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上。