[发明专利]一种CVD构建CsPbBr3纳米片电致发光器件的方法

权利要求书

1.一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：

将摩尔比为1.85-2.05:1的CsBr和PbBr₂粉装入瓷舟壹(1)，并将刻蚀有电极的ITO玻璃片平铺于瓷舟贰(2)上后，将瓷舟壹(1)置于水平管式炉的中部，将瓷舟贰(2)置于水平管式炉中靠近出气口的一端；通入载气，排出炉内空气后，持续通入载气，并升温至瓷舟壹(1)的加热温度为570-600℃、瓷舟贰(2)的加热温度为300-400℃，载气将CsBr和PbBr₂蒸汽送至ITO玻璃片并沉积得到所述CsPbBr₃纳米片；沉积时，载气流速为30-70sccm、炉内压力为280-320Torr。

2.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于；所述刻蚀有电极的ITO玻璃片是通过下述方案制备的：

取ITO片为衬底，切割成设定尺寸后清洗、干燥，然后涂覆一层光刻胶；干燥、曝光、显影；显影后，放入ITO刻蚀液中刻蚀，刻蚀后，洗涤、干燥；得到刻蚀有电极的ITO玻璃片；所述光刻胶为负胶。

3.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：相邻电极之间的间距为3-10μm。

4.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：生成的CsPbBr₃纳米片的长度为10-30μm，宽度为5-20μm，且单片CsPbBr₃纳米片长度大于相邻电极之间的间距。

5.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：生成的CsPbBr₃纳米片的厚度为200-600nm。

6.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：沉积时，炉内压力为300Torr。

7.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：沉积时间为5-20分钟。

8.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：沉积时，载气流速为30-60sccm。

9.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：控制刻蚀后的电极为叉指电极可以得到同一电压源下，多个点发光。

10.根据权利要求1所述的一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：所得CsPbBr₃纳米片电致发光器件，在电注入下发光；且发光波长峰位于525-530nm。