[发明专利]动态随机存取存储器元件有效
| 申请号: | 201710224324.7 | 申请日: | 2017-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN108695325B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
| 发明(设计)人: | 蔡综颖;何建廷;魏铭德;冯立伟;王嫈乔 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 埋入式字线 方向延伸 主动区 基底 位线接触 插塞 动态随机存取存储器元件 方向平行 平行 四边 跨设 | ||
1.一种动态随机存取存储器元件,其特征在于包含:
基底,包含第一主动区,其中该第一主动区沿着一第一方向延伸;
二埋入式字线,设置于该基底中且跨设该第一主动区,其中该二埋入式字线沿着一第二方向延伸;
位线接触插塞,设置于该基底上且重叠该二埋入式字线之间的该第一主动区,其中一第一边、一第二边、一第三边以及一第四边围绕成该位线接触插塞,且该第一边平行该第三边而沿着一第三方向延伸,该第二边平行该第四边而沿着一第四方向延伸,其中该第一方向平行该第三方向且该第二方向平行该第四方向,该第一边及该第三边不重叠该第一主动区,因而该位线接触插塞包含一主体部分重叠该第一主动区以及二副翼部分不重叠该第一主动区。
2.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该基底包含二主动区位于该第一主动区两侧且该二主动区平行该第一主动区。
3.依据权利要求2所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一边位于该第一主动区以及其中一该二主动区之间,且该第三边位于该第一主动区以及另一该二主动区之间。
4.依据权利要求3所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一边位于该第一主动区以及其中一该二主动区之间的中线,且第三边位于该第一主动区以及另一该二主动区之间的中线。
5.依据权利要求2所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一主动区以及该二主动区以一绝缘结构隔绝。
6.依据权利要求5所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一边与该第三边直接位于该绝缘结构上。
7.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该位线接触插塞重叠该二埋入式字线之间的全部的该第一主动区。
8.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第二边直接位于其中一该二埋入式字线上,且该第四边直接位于另一该二埋入式字线上。
9.依据权利要求8所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第二边直接位于其中一该二埋入式字线的中线上,且该第四边直接位于另一该二埋入式字线的中线上。
10.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一方向与该第二方向之间的夹角为70°~75°。
11.依据权利要求10所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第一方向与该第二方向之间的夹角为71.2°。
12.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于还包含:
位线栅极包含该位线接触插塞,其中该位线栅极设置于该基底上且沿着一第五方向延伸。
13.依据权利要求12所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该第二方向垂直该第五方向。
14.依据权利要求1所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于还包含:
存储节点接触插塞,紧邻该位线接触插塞设置。
15.依据权利要求14所述的动态随机存取存储器元件,其特征在于,该位线接触插塞的一深度为350纳米~450纳米,而该存储节点接触插塞的一深度为250纳米~350纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





