[发明专利]一种独立三栅FinFET器件的多阈值电压调控方法

权利要求书

1.一种具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，其特征在于，所述新型FinFET器件包括：

衬底(1)；

氧化物层(2)，其位于所述衬底(1)的表面；

鳍形结构(3)，其位于所述氧化物层(2)的表面，形成中央的沟道区及两端的源区(3a)和漏区(3b)；

栅极介质层(5)，其垂直设置在所述鳍形结构(3)的沟道区上且包围所述沟道区；所述栅极介质层(5)包括：设置在所述鳍形结构(3)左侧的左侧栅极介质层(5a)、设置在所述鳍形结构(3)右侧的右侧栅极介质层(5b)、以及设置在所述鳍形结构(3)顶部的顶部栅极介质层(5c)；

栅极金属层(4)，其包括：

左侧栅极金属层(4a)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述左侧栅极介质层(5a)及所述氧化物层(2)之间；

右侧栅极金属层(4b)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述右侧栅极介质层(5b)及所述氧化物层(2)之间；

顶部栅极金属层(4c)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)的上方；及

侧墙(6)，其设置在所述栅极介质层(5)与所述栅极金属层(4)的两侧；

在无额外电压源的情况下，对所述左侧栅极金属层(4a)、所述右侧栅极金属层(4b)、所述顶部栅极金属层(4c)分别施加电源电压(VDD)或接地，实现五种不同的阈值电压控制模式。

2.如权利要求1所述的多阈值电压调控方法，其特征在于，所述左侧栅极介质层(5a)与所述右侧栅极介质层(5b)的介质层材料相同，所述顶部栅极介质层(5c)与所述左侧栅极介质层(5a)、所述右侧栅极介质层(5b)的介质层材料相同或不同，以此实现对阈值电压的调控。

3.如权利要求1所述的多阈值电压调控方法，其特征在于，所述左侧栅极介质层(5a)与所述右侧栅极介质层(5b)的介质层厚度相同，所述顶部栅极介质层(5c)与所述左侧栅极介质层(5a)、所述右侧栅极介质层(5b)的介质层厚度相同或不同，以此实现对阈值电压的调控。

4.如权利要求1所述的多阈值电压调控方法，其特征在于，所述左侧栅极金属层(4a)与所述右侧栅极金属层(4b)的金属层材料相同，所述顶部栅极金属层(4c)与所述左侧栅极金属层(4a)、所述右侧栅极金属层(4b)的金属层材料相同或不同，以此实现对阈值电压的调控。