[发明专利]一种针对3D光学玻璃、蓝宝石半导体的高精清洗工艺

权利要求书

1.一种针对3D光学玻璃、蓝宝石半导体的高精清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：

真空超声波皂化清洗：将工件置于温度为30～50℃的碳氢清洗剂中，同时将频率为28KHz、大小为50～100％的超声波接入碳氢清洗剂中，交替地进行真空清洗和入气清洗，真空清洗的条件为真空度-65Kpa，清洗时间3～10s，入气清洗条件为标准大气压下清洗时间为5～20s,真空清洗和入气清洗的总时间为180～420s；

真空碳氢切水：在真空度为-75Kpa的真空条件下，将工件置于温度为30～50℃的碳氢清洗剂中进行抛动清洗，工件于碳氢清洗剂中抛动180～420s；

真空超声波碳氢清洗：将工件置于温度为45～50℃的碳氢清洗剂中，同时将频率为40KHz、大小为50～100％超声波接入碳氢清洗剂中，交替地进行真空清洗和入气清洗，清洗过程中伴随着工件的抛动，真空清洗的条件为真空度-65Kpa，清洗时间3s，入气清洗条件为标准大气压下清洗时间为10s,真空清洗和入气清洗的总时间为180～420s；

蒸汽浴洗与真空干燥：在真空度为-90Kpa的条件下，先将工件置于温度为90～110℃的碳氢清洗剂所形成的蒸汽中进行真空浴洗1～5次，每次清洗时间为15～30s，完成蒸汽浴洗后，调整真空度为-100Kpa，并在温度为90～110℃条件下干燥180～420s；

等离子清洗，将工件置于真空度为0.5～4Pa的密闭空间内，在射频电源的作用下按100～400ml/min速率通入无机气体形成等离子体清洗，清洗时间为180～360s。

其中，碳氢清洗剂均为C_nH_2n+2饱和链烃类清洗剂，真空超声波皂化清洗、真空碳氢切水、真空超声波碳氢清洗、蒸汽浴洗与真空干燥步骤均重复两次。

2.根据权利要求1所述的高精清洗工艺，其特征在于，第一次真空超声波清洗碳氢清洗剂通过蒸馏回收步骤回收，第一次真空超声波清洗中的碳氢清洗剂溶液经过蒸馏回收步骤的储存-蒸馏后作为第二次真空超声波清洗中的碳氢清洗剂，而第二次超声波碳氢清洗工序中的碳氢清洗剂则部分回流作为第一次真空超声波清洗中。

3.根据权利要求2所述的高精清洗工艺，其特征在于，第一次蒸汽浴洗与真空干燥和第二次蒸汽浴洗与真空干燥中的碳氢清洗剂均通过冷凝回收步骤回收，两次蒸汽浴洗与真空干燥中的蒸汽经冷凝回收步骤回收并作为第一次真空超声波清洗与第二次真空超声波清洗中至少一个步骤的碳氢清洗剂。

4.根据权利要求3所述的高精清洗工艺，其特征在于，所述无机气体选自O₂、H₂、N₂、Ar₂中至少一种。