[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

说明书

本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法，其包括：记录对应欲程序化的多笔数据的多数个特征参数；根据此些特征参数，整理此些数据，识别此些数据之中的常读数据；以及将识别为常读取的数据程序化至可复写式非易失性存储器模块的第一实体程序化单元中，其中从第一实体程序单元读取数据的时间短于从可复写式非易失性存储器模块的第二实体程序单元读取数据的时间。基此，此些数据的读取效能可被有效的提升。

技术领域

本发明涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记型电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器模块作为存储媒体的存储器存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

在反及(NAND)型快闪存储器模块中，实体程序化单元是由排列在同一条字元线上的数个存储单元所组成。依据每个存储单元可存储的位元数，NAND型快闪存储器模块可区分为单阶存储单元(Single Level Cell,SLC)NAND型快闪存储器模块、多阶存储单元(Multi Level Cell,MLC)NAND型快闪存储器模块与三阶存储单元(Trinary Level Cell,TLC)NAND型快闪存储器模块，其中SLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储1个位元的数据(即，“1”与“0”)，MLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储2个位元的数据并且TLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储3个位元的数据。

由于SLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元可存储1个位元的数据，因此，在SLC NAND型快闪存储器模块中，排列在同一条字元线上的数个存储单元是对应一个实体程序化单元。

相对于SLC NAND型快闪存储器模块来说，MLC NAND型快闪存储器模块的每个存储单元的浮动闸存储层可存储2个位元的数据，其中每一个存储状态(即，“11”、“10”、“01”与“00”)包括最低有效位元(Least Significant Bit,LSB)以及最高有效位元(MostSignificant Bit,MSB)。例如，存储状态中从左侧算起的第1个位元的值为LSB，而从左侧算起的第2个位元的值为MSB。因此，排列在同一条字元线上的数个存储单元可组成2个实体程序化单元，其中由此些存储单元的LSB所组成的实体程序化单元称为下实体程序化单元(low physical programming unit)，并且由此些存储单元的MSB所组成的实体程序化单元称为上实体程序化单元(upper physical programming unit)。特别是，当程序化上实体程序化单元发生错误时，下实体程序化单元所存储的数据也可能因此遗失。