[发明专利]激光光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种激光光伏电池，其特征在于，包括：依次形成于衬底上的第一子电池、第一隧道结、第二子电池、第二隧道结、第三子电池、第三隧道结、第四子电池以及欧姆接触层。

2.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述各子电池的生长材料包括AlGaInAs、InGaAsP或InGaAs，所选材料晶格常数与衬底材料匹配。

3.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述第一子电池至第四子电池的厚度依次降低。

4.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述第一子电池至第四子电池的带隙小于1.26eV，各子电池带隙一致。

5.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述各子电池依次包括：P型InP背场层、P型InGaAsP基区、N型InGaAsP发射区、N型InP窗口区。

6.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述各隧道结依次包括：N型InP重掺杂区和P型InP重掺杂区。

7.根据权利要求1所述的激光光伏电池，其特征在于，所述激光光伏电池还包括P、N电极和减反膜，所述P电极设置于衬底上，所述N电极设置于欧姆接触层上，所述减反膜设置于第四子电池上。

8.一种制备如权利要求1所述的激光光伏电池的方法，其特征在于，包括：

S1、提供InP衬底；

S2、在所述衬底上依次生长第一子电池、第一隧道结、第二子电池、第二隧道结、第三子电池、第三隧道结、第四子电池、欧姆接触层；

S3、制备P、N电极、减反膜，得到激光光伏电池。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，进一步包括：

在InP衬底和欧姆接触层上分别制备P型、N型电极，腐蚀掉第四电极外的部分欧姆接触层，蒸镀减反膜。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用有机化学气相沉积法或分子束磊晶法在所述衬底上依次生长各子电池、各隧道结和欧姆接触层。