[发明专利]整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构

权利要求书

1.一种场效二极管，其包含：

具有L形截面的接面结构，该接面结构包含平面部分及鳍片部分，该鳍片部分自该平面部分沿着第一方向延展，该平面部分沿着垂直于该第一方向的第二方向延展，该鳍片部分具有沿着该第一方向远离该平面部分的顶面，该顶面与该平面部分平行，该顶面横置于有别于该平面部分的平面中，该平面部分具有沿着该第二方向远离该鳍片部分的端面，该端面与该鳍片部分平行，并且该端面横置于有别于该鳍片部分的平面中；

阳极，其置于该鳍片部分的该顶面；

阴极，其置于该平面部分的该端面；

第一栅极绝缘体，其接触沿着该第一方向延展的该鳍片部分的表面，该第一栅极绝缘体接触介于该顶面与该平面部分之间的该鳍片部分的该表面；

第一栅极导体，其接触该第一栅极绝缘体，该第一栅极绝缘体置于该第一栅极导体与该鳍片部分的该表面之间；

第二栅极绝缘体，其接触沿着该第二方向延展的该平面部分的表面，该第二栅极绝缘体接触介于该端面与该鳍片部分之间的该平面部分的该表面；以及

镇流电阻器，其接触该第二栅极绝缘体，该第二栅极绝缘体置于该镇流电阻器与该平面部分的该表面之间。

2.根据权利要求1所述的场效二极管，该接面结构包含介于该阳极与该阴极之间的多个p-n接面。

3.根据权利要求1所述的场效二极管，该接面结构包含：

第一暂时p-n接面，其介于该阳极与该第一栅极导体之间；

第二暂时p-n接面，其介于该鳍片部分与该镇流电阻器之间；以及

第三永久p-n接面，其介于该阴极与该镇流电阻器之间。

4.根据权利要求1所述的场效二极管，该接面结构包含半导体，该阳极包含具有第一类型杂质的导体，该阴极包含具有第二类型杂质的导体，并且该第一类型杂质具有与该第二类型杂质相反的极性。

5.根据权利要求1所述的场效二极管，该第一栅极导体包含环绕栅极导体，该环绕栅极导体围绕沿着该第一方向延展的该鳍片部分的侧面，并且该第一栅极绝缘体介于该鳍片部分的所述侧面与该环绕栅极导体之间。

6.根据权利要求1所述的场效二极管，该镇流电阻器包含静电放电保护装置。

7.根据权利要求1所述的场效二极管，该接面结构包含基于该第一栅极导体与该镇流电阻器之间的电压差的介于该阳极与该阴极之间的导体。

8.一种场效二极管，其包含：

具有L形截面的接面结构，该接面结构包含平面部分及鳍片部分，该鳍片部分自该平面部分沿着第一方向延展，该平面部分沿着垂直于该第一方向的第二方向延展，该鳍片部分具有沿着该第一方向远离该平面部分的顶面，该顶面与该平面部分平行，该顶面横置于有别于该平面部分的平面中，该平面部分具有沿着该第二方向远离该鳍片部分的端面，该端面与该鳍片部分平行，并且该端面横置于有别于该鳍片部分的平面中；

阳极，其置于该鳍片部分的该顶面；

阴极，其置于该平面部分的该端面；

多晶硅，其置于该鳍片部分上；

栅极绝缘体，其接触该多晶硅的表面，该栅极绝缘体接触介于该顶面与该平面部分之间的该多晶硅的该表面；以及

栅极导体，其接触该栅极绝缘体，该栅极绝缘体置于该栅极导体与该鳍片部分的该表面之间。

9.根据权利要求8所述的场效二极管，该接面结构包含介于该阳极与该阴极之间的多个p-n接面。

10.根据权利要求8所述的场效二极管，该接面结构包含：

第一暂时p-n接面，其介于该阳极与该栅极导体之间；以及

第二永久p-n接面，其介于该阴极与该栅极导体之间。

11.根据权利要求8所述的场效二极管，该接面结构包含半导体，该阳极包含具有第一类型杂质的导体，该阴极包含具有第二类型杂质的导体，并且该第一类型杂质具有与该第二类型杂质相反的极性。