[发明专利]一种绝缘子憎水性改性处理装置

权利要求书

1.绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是包括绝缘子卡盘、憎水改性大面积射流反应器、绝缘子憎水改性处理装置反应腔支撑外壳、液体前驱混合腔、工作气体分流装置、固定支架；其中，绝缘子卡盘固定在绝缘子憎水改性处理装置反应腔支撑外壳的内壁上；憎水改性大面积射流反应器通过固定支架固定于绝缘子憎水改性处理装置反应腔支撑外壳的底部；液体前驱混合腔和工作气体分流装置处在绝缘子憎水改性处理装置反应腔支撑外壳的外部，液体前驱混合腔与工作气体分流装置、憎水改性大面积射流反应器依次串接；

所述的憎水改性大面积射流反应器包括5至50个射流阻挡介质管、5至50个射流接地铜环电极、5至50个射流高压电极、第一绝缘固定支架、大面积射流高压电极支撑板、第二绝缘固定支架、5至50个绝缘气道接口；第一绝缘固定支架上有5至50个介质管支撑孔，每个射流阻挡介质管插在第一绝缘固定支架上所对应的介质管支撑孔内部，射流阻挡介质管的底部与介质管支撑孔的底部齐平；每个射流阻挡介质管内有一个射流高压电极，射流高压电极依次穿过第一绝缘固定支架、大面积射流高压电极支撑板、第二绝缘固定支架，每个射流高压电极下端有一个绝缘气道接口，每个射流阻挡介质管外部套有一个射流接地铜环电极；每个射流阻挡介质管、射流接地铜环电极、射流高压电极和绝缘气道接口组成一个射流单元，5至50个射流单元排布在第一绝缘固定支架上，各射流单元的射流接地铜环电极之间的间距为0毫米；射流高压电极从第二绝缘固定支架的底部穿出，每两个相邻射流高压电极之间的间距为10毫米至30毫米，5至50个绝缘气道接口分别固定于5至50个射流高压电极的下端，绝缘气道接口的底部距离射流高压电极底部2毫米至5毫米；

所述工作气体分流装置包括一级分流进气口，一级分流腔，一级分流出气口，二级分流调节阀，二级分流进气口，二级分流腔，二级分流出气口；其中一级分流进气口接一级分流腔，一级分流腔有2至10个一级分流出气口，每个一级分流出气口与对应二级分流进气口连接，一级分流出气口与对应二级分流进气口之间有二级分流调节阀，每个二级分流进气口接一个二级分流腔，每个二级分流腔有2至10个二级分流出气口。

2.根据权利要求1所述的绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是所述5至50个射流高压电极按一定的梯度从第一绝缘固定支架两边向中间排布，每相邻两级之间的下降梯度为3毫米至5毫米。

3.根据权利要求1所述的绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是所述射流阻挡介质管内径为1毫米至3毫米，外径为3毫米至5毫米，长度为120毫米至200毫米；所述射流接地铜环电极内径为3毫米至5毫米，外径为3.5毫米至5.5毫米，长度为4毫米至7毫米；所述射流高压电极材料为钨，内径为0.2毫米至0.5毫米，外径为0.5毫米至0.6毫米，长度为160毫米至200毫米；所述绝缘气道接口材质为硅橡胶或聚四氟乙烯，内径为0.6毫米至1毫米，外径为3毫米至4毫米，长度为10毫米至20毫米。

4.根据权利要求1所述的绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是所述第一绝缘固定支架上有5至50个介质管支撑孔和5至50个高压电极支撑孔；每排介质管支撑孔按一定梯度从第一绝缘固定支架两边向中间排布，每两级之间的下降梯度为3毫米至5毫米，每两个介质管支撑孔之间间距为1毫米至3毫米，在每个介质管支撑孔的正中间打一个直径0.5毫米至1毫米的高压电极支撑孔，高压电极支撑孔从介质管支撑孔的底部向下贯穿整个绝缘固定支架。

5.根据权利要求1所述的绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是所述液体前驱混合腔包括主气道接口，次气道接口，主气道调节阀，次气道调节阀，气液两相混合器，气相混合腔主气道进气口，气相混合腔次气道，气相混合腔，多孔陶瓷堆，工作气体出气口，主气道，次气道；其中，主气道接口位于主气道的一端，主气道调节阀位于主气道上，主气道的另一端为气相混合腔主气道进气口，气相混合腔主气道进气口插在气相混合腔的底部；次气道接口位于次气道的一端，次气道调节阀位于次气道上，次气道的另一端插在气液两相混合器内；气液两相混合器和气相混合腔通过气相混合腔次气道连接，气相混合腔次气道的一端插在气液两相混合器内，气相混合腔次气道的另一端插在气相混合腔内，气相混合腔留有工作气体出气口。

6.根据权利要求5所述的绝缘子憎水性改性处理装置，其特征是所述气相混合腔中包含有一个耐腐蚀的多孔陶瓷堆，气液两相混合器中装有憎水性前驱添加物，前驱添加物是含氟或/和硅或/和氯的憎水性物质。