[发明专利]互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法

说明书

本发明提供一种互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法。该互补型TFT器件的制作方法通过溶液法连续制作一金属氧化物半导体薄膜晶体管和一有机半导体薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管和有机半导体薄膜晶体管电性连接，且该金属氧化物半导体薄膜晶体管和有机半导体薄膜晶体管中的一个为N型沟道的薄膜晶体管，另一个为P型沟道的薄膜晶体管，能够减少真空设备和高温设备的使用，充分利用溶液法的可大面积实现和低成本的优势，降低产品制作成本，提升产品竞争力。本发明提供的OLED显示面板的制作方法，能够降低产品制作成本，提升产品竞争力。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

有机发光二极管显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面显示器的新兴应用技术。

OLED显示装置通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的有机发光层，设于有机发光层上的电子传输层、及设于电子传输层上的阴极。工作时向有机发光层发射来自阳极的空穴和来自阴极的电子，将这些电子和空穴组合产生激发性电子-空穴对，并将激发性电子-空穴对从受激态转换为基态实现发光。

溶液法制备电子薄膜、电子器件及电子电路，具有工艺简单、成本低及可大面积实现等优点。近年来，溶液法制备电子薄膜的工艺及基于溶液法的电子器件的研究能取得了长足的进步，多个方面的性能可以比拟甚至超越传统利用真空制程得到的电子薄膜及对应的电子器件。

互补型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)器件由P型沟通薄膜晶体管以及N型沟道沟通薄膜晶体管共同构成，互补型TFT器件是平板显示器中常用的一种电路结构。目前的互补型TFT器件中TFT有源层的材料通常是金属氧化物半导体，其制作过程复杂，需要使用大量的真空设备和高温设备，制作成本高。

有机半导体薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)是一种用有机半导体材料作为有源层的薄膜晶体管器件。溶液法是制备有机半导体薄膜晶体管的常用方法，具有工艺简单、成本低及可大面积实现等优点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种互补型TFT器件的制作方法，能够降低产品制作成本，提升产品竞争力。

本发明的目的还在于提供一种OLED显示面板的制作方法，能够降低产品制作成本，提升产品竞争力。

为实现上述目的，本发明提供了一种互补型TFT器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上形成间隔分布的第一栅极、第一电极以及第二电极；

步骤2、在所述第一电极以及第二电极之间的间隔区域、以及第一电极和第二电极邻近所述间隔区域的部分上形成依次层叠的第二有源层、第二栅极介电层、以及第二栅极；

步骤3、在所述基板、第一栅极、第一电极、第二电极、第二栅极上覆盖第一栅极介电层，对所述第一栅极介电层进行图案化形成位于所述第一电极上方的过孔，暴露出所述第一电极的一部分；

步骤4、在所述第一栅极上方的第一栅极介电层上形成第一有源层；

步骤5、在所述第一栅极介电层上形成分别与所述第一有源层接触且相互间隔的第三电极和第四电极，所述第四电极通过所述过孔与第一电极接触；