[发明专利]放电板以及放电系统

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种放电板以及放电系统。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor，简称MOS管)的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型背栅中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管，叫做场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)，它把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的输出电流的变化和输入电压变化之比，市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。

但是，一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOS管的栅极源极间最大额定电压约为±20V，如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOS管，主要是因为MOS管输入阻抗大的特点，电荷不能及时的流走，积聚在栅极，就会造成MOS管栅极和源极之间的电压大于这个±20V的范围，这时MOS管就可能损坏。这就是一定不能用手去摸MOS管引脚的原因，手上的静电高达千伏，MOS管一下子就会被击穿了。因此，MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种放电板以及放电系统，以解决现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种放电板，包括：电路板、MOS管以及防静电装置；

所述MOS管与所述电路板互相连接；

所述MOS管设置于所述电路板上；

所述电路板通过所述MOS管控制电流；

所述防静电装置设置于所述MOS管的外部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管的数量为11个；

所述防静电装置设置于每个所述MOS管的外部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述防静电装置包括绝缘层、抗静电膜、磁场屏蔽罩中至少一种。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述防静电装置上还设置有接地装置；

所述接地装置与地面连接。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，还包括检测装置；

每个所述检测装置与每个所述MOS管连接，检测所述MOS管的故障情况。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，还包括故障显示装置；

所述故障显示装置与所述检测装置连接，显示每个所述MOS管的故障信息。

第二方面，本发明实施例还提供一种放电系统，包括：负载以及如第一方面的放电板；

所述放电板与所述负载连接；

所述放电板为所述负载提供放电电流。

结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管通过脉冲信号控制通断；

每个所述MOS管通过加载2A直流控制所述负载的放电电流值驱动所述负载。

结合第二方面，本发明实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，所述负载为电极与加工件。

本发明实施例提供的技术方案带来了以下有益效果：本发明实施例提供的放电板包括：MOS管、电路板与防静电装置，该MOS管设置于该电路板上，且MOS管与电路板互相连接，其中，电路板通过MOS管控制电流，而防静电装置设置于MOS管的外部，通过防静电装置在MOS管的外部，保护MOS管不受外界静电的干扰，使MOS管免受静电破坏，从而解决了现有技术中存在的MOS管对静电比较敏感，极其容易被静电击穿的技术问题。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明