[发明专利]基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备。

背景技术

NAND闪存是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。NAND闪存包括很多数据块，每个数据块由很多存储器单元组成，用于读写数据。这些存储器单元排列成阵列，阵列内一特定的存储器单元通常经由一字线(word-line,WL)与一对位线(bit-line,BL)选取，字线通常耦接至一行内各存储器单元的一个或多个控制栅，位线对(BL pair)通常耦接一列内各存储器单元的存储点至一感测放大器。通过控制字线和位线的高低电压可以实现对存储器单元的读写擦操作。

图1(a)示出了一部分阵列中作为存储器单元的半导体晶体管的控制栅极与对应字线的示意图，其中，SGD和SGS对应两个开关管，通过控制这两个开关管实现对其中间部分的存储器单元的选取，即WL0、WL1……WLn对应的存储器单元，WL0、WL1……WLn可称为数据字线(data WL)，选取后便可进行读写擦操作。在NAND闪存中，为了保证边缘处的data WL，即WL0和WLn，与中间的WL环境相同，在边缘data WL处加入虚拟(dummy)WL，即DDWL1和DSWL1。工作中，Dummy WL对应存储器单元应始终处于擦除(erase)状态，其阈值电压vt分布如图1(b)中实线所示。

但是，随着使用次数的增加，Dummy WL受到读操作干扰、写操作干扰以及相邻WL的影响，使得Dummy WL对应存储器单元的阈值电压vt向右偏移，如图1(b)虚线所示。当Dummy WL对应存储器单元的vt右移时，会影响使得其相邻data WL对应存储器单元的vt右移，从而影响data WL对应存储器单元的数据读写的准确性。

发明内容

本发明实施例提供一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备，以解决现有技术中因虚拟字线对应存储器单元的阈值电压右移而影响数据字线对应存储器单元的数据读写准确性的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，所述方法包括：

在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。

进一步的，将所述擦除电压加到与所述数据字线对应的虚拟字线上之后，所述方法还包括：

分别为加所述擦除电压的虚拟字线加验证电压，并验证与所述虚拟字线对应的存储器单元的阈值电压是否达到预设范围，其中，所述验证电压小于存储器单元的读取电压；

当验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围时，在对所述所选存储器单元再次进行擦除操作时，继续将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上；

重复执行上述操作，直到验证所述阈值电压达到所述预设范围为止。

进一步的，所述验证与所述虚拟字线对应的存储器单元的阈值电压是否达到预设范围包括：

基于所述验证电压对所述虚拟字线对应的存储器单元分别执行擦除验证操作；

根据所述擦除验证操作读到数据1时，验证出所述阈值电压已达到所述预设范围；

根据所述擦除验证操作读到数据0时，验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围。

进一步的，所述验证的次数不大于所述存储器单元的预设擦除次数

第二方面，本发明实施例提供了一种基于NAND闪存的阈值电压校验装置，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，所述装置包括：

擦除电压施加模块，用于在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。

进一步的，所述装置还包括：

验证模块，用于在所述擦除电压施加模块将所述擦除电压加到与所述数据字线对应的虚拟字线上之后，执行如下操作：