[发明专利]基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备

说明书

本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，该方法包括：检测存储设备中的坏列；判断坏列是否修复过；当判断出没有修复过，则用冗余列替换坏列；当判断出修复过，则将修复坏列的冗余列标记为坏冗余列，并用新的冗余列替换坏列。本发明实施例能够解决现有技术中替换列坏掉后无法正常进行读写等操作的问题。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备。

背景技术

NAND闪存是Flash内存的一种，属于非易失性半导体存储器。NAND flash包括很多数据块，每个数据块由很多存储器单元组成，用于读写数据。

NAND flash芯片中列(column)方向的走线最为紧凑，所以出现走线断开和短接的概率很大，即出现坏列。这就要求在设计中加入额外的列将坏列替换掉，并将坏列的地址信息存入阵列(array)中。在上电读的过程中，将坏列的地址信息从阵列读到锁存器(latch)中，在进行读与写等操作时，将输入的列地址同时与所有latch中的地址进行对比，如果匹配，则表明当前访问的列为坏列，那么将直接访问与输入的列地址对应的替换的冗余列(RDN column)地址。目前使用列修复方法如图1所示，图中column A与column B是坏的，分别被column C与column D替换，在访问column A时，实际访问的是column C，column B同理；但是当column C与column D也坏掉后，那么column A与column B将不能正常工作。

发明内容

本发明实施例提供一种基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备，以解决现有技术中替换列坏掉后无法正常进行读写等操作的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种基于NAND闪存的列修复方法，应用于NAND存储设备，所述方法包括：

检测所述存储设备中的坏列；

判断所述坏列是否修复过；

当判断出没有修复过，则用冗余列替换所述坏列；

当判断出修复过，则将修复所述坏列的冗余列标记为坏冗余列，并用新的冗余列替换所述坏列。

进一步的，所述方法还包括：将冗余列和被替换的坏列的地址对应存储在所述存储设备的锁存器中。

进一步的，所述判断所述坏列是否修复过包括：

判断所述锁存器中是否记载所述坏列和替换的冗余列的地址，当判断为是，则所述坏列被修复过。

第二方面，本发明实施例提供了一种基于NAND闪存的列修复装置，应用于NAND存储设备，所述装置包括：

坏列检测模块，用于检测所述存储设备中的坏列；

修复判断模块，用于判断所述坏列是否被修复过；

修复模块，用于当所述修复判断模块判断出所述坏列没有修复过时，用冗余列替换所述坏列，以及当所述修复判断模块判断出所述坏列修复过时，将修复所述坏列的冗余列标记为坏冗余列，并用新的冗余列替换所述坏列。

进一步的，所述装置还包括：

地址存储模块，用于将冗余列和被替换的坏列的地址对应存储在所述存储设备的锁存器中。

进一步的，所述修复判断模块具体用于：判断所述锁存器中是否记载所述坏列和替换的冗余列的地址，当判断为是，则所述坏列被修复过。

第三方面，本发明实施例提供了一种NAND存储设备，所述存储设备包括固件，所述固件包括如上所述的基于NAND闪存的列修复装置；