[发明专利]一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法和电路

权利要求书

1.一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法，其特征是：调节IGBT关断损耗，使IGBT的总损耗平衡，从而平滑IGBT结温波动。

2.如权利要求1所述的一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法，其特征是：所述调节IGBT关断轨迹是：当IGBT处理功率为额定负载时，使IGBT工作在关断软开关状态，使关断损耗最小；当负载向下波动时，IGBT内部损耗降低，通过调节IGBT关断轨迹增加关断损耗，使IGBT关断过程由软开关状态向硬开关状态过渡，增加关断损耗，从而平衡IGBT内部损耗，使IGBT结温不发生波动。

3.一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑电路，其特征是：在IGBT的充放电型RCD缓冲电路上增加一个辅助开关S，通过调节所述辅助开关S的开通时间，改变IGBT关断轨迹；其中：所述充放电型RCD缓冲电路连接于IGBT的集电极和发射极之间；所述辅助开关S，使用IGBT或MOSFET功率器件，连接于充放电型RCD缓冲电路的二极管和电容之间；其中所述辅助开关S的集电极连接于所述充放电型RCD缓冲电路中二极管的阴极；所述辅助开关S的发射极连接于所述充放电型RCD缓冲电路的电容；辅助开关S用于改变IGBT的关断轨迹，调节IGBT的关断损耗。

4.如权利要求3所述的一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑电路，其特征是：所述辅助开关S改变IGBT的关断轨迹，调节IGBT的关断损耗的步骤是：当IGBT的关断信号来临前，保持所述辅助开关S断开；当IGBT的关断信号来临后，所述辅助开关S根据负载电流情况延迟开通时间。