[发明专利]一种量子点LED背光器件及其制备方法在审
申请号: | 201710211044.2 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN106898679A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 汤勇;李宗涛;余彬海;李志;余树东;李家声 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/64 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 led 背光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及机械制造及光学元器件制造领域,具体涉及一种量子点LED背光器件及其制备方法。
技术背景
背光器件与人们的生活紧密联系,有着广泛的应用前景。背光器件是一种通过供应充足亮度及均匀分布的光源,从而使显示模块能正常显示影像的器件。现有LED量子点显示屏中,所采用发光二极管(LED:Light Emitting Diode)中量子点均匀分布于封装胶体内部,位于芯片底部的量子点难以被激发利用,且由于芯片为朗伯发射光源,在器件大角度区域处光较弱,空间色温均匀性较差,因此背光显示的均匀性较差。传统LED制造业提出用远程喷涂的方式将荧光粉层喷涂至白胶顶部,从而使得荧光粉聚集在顶部,使得荧光粉充分被利用。然而两层结构的制作工艺较为繁琐。
发明内容
为了克服现有技术存在的缺点与不足,本发明提供了一种新型远程量子点高效LED背光器件及其制备方法。
本发明克服了传统两步分层式远程结构器件存在的工艺繁琐的缺陷,提供了一种量子点LED背光器件的制备方法,通过一步式制备出下凸型远程结构,且该种量子点LED背光器件具有制备工艺简单、光效高等优点,易于实现工业化生产。
本发明通过如下技术方案实现。
一种量子点LED背光器件的制备方法,包括如下步骤:
(1)封装胶体的制备:选取低密度空心粒子、量子点和高密度光学硅胶依次加入脱泡陶瓷杯中,再加入搅拌珠,在真空脱泡机中进行真空脱泡,得到封装胶体;
(2)恒温点胶及封压胶面:将LED支架放置在恒温加热台上预热后,采用制备好的封装胶体对放置在加热台的LED支架进行点胶;再将表面涂有离模剂的聚酰亚胺高温胶带贴紧于已点胶的LED支架杯面一端,并将该杯面一端进行单方向低温封压,使聚酰亚胺高温胶带完整贴合于杯面,并将多余封装胶体挤出,使封装胶体与支架杯面平齐;
(3)粉体高速背向离心:将已贴聚酰亚胺高温胶带的LED支架背向放入高速离心机,即固有芯片框架的LED支架的散热基板背面一端朝向离心轴放置,进行离心;
(4)器件固化:将离心后的LED支架放置于固化炉中,预热后进行固化,固化成型,冷却,撕去聚酰亚胺高温胶带,得到所述量子点LED背光器件。
进一步地,步骤(1)中,所述高密度光学硅胶为混合后密度为1-1.5g/cm3的硅胶,包括混合后密度为1.02 g/cm2的道康宁OE6351低折硅胶、混合后密度为1.18 g/cm2的道康宁OE6650高折硅胶。
进一步地,步骤(1)中,所述低密度空心粒子的密度为0.6-0.8g/cm2,包括TiO2或ZnO空心粒子。
进一步地,步骤(1)中,所述低密度空心粒子的直径为20~40nm。
进一步地,步骤(1)中,所述量子点的主波长为540-560nm,包括CdSe或 ZnS量子点;在高速离心机离心时,低密度空心粒子在高密度光学硅胶环境下快速上浮至杯面,有利于带动并加速量子点一致快速地背向离心至杯面。
进一步地,步骤(1)中,所述量子点的直径为5~8nm。
进一步地,步骤(1)中,按质量比,低密度空心粒子:量子点:高密度硅胶=1:5:400~1:5:450。
更进一步地,步骤(1)中,按质量比,低密度空心粒子:量子点:高密度硅胶=1:5:400或1:5:450,对应制备得出的背光器件的色温分别为正白(5000-6500K)、冷白(6500-8000K)。
进一步地,步骤(2)中,所述预热的温度为40~50℃,时间为10~15min。
进一步地,步骤(2)中,所述低温封压的温度为50℃-60℃。
进一步地,步骤(2)中,所述点胶的点胶量以支架杯面微凸为宜。
进一步地,步骤(2)中,所述封压过程是利用封压宽度可调的封压头进行低温单一方向封压,封压头限位侧压板两端位置可根据具体背光器件的宽度及角度进行调整,以确保将聚酰亚胺高温胶带紧密贴合于背光器件外表面。
进一步地,步骤(3)中,所述离心的转速为10000~12000rpm,时间为5-8min。
高速离心机10000~12000rpm的转速可用于控制远程量子点图形的下凸形状;转速越低,远程量子点图形下凸程度越大,越利于聚光;转速越高,远程量子点图形下凸程度越小,越利于出光角度的增大。
进一步地,步骤(4)中,所述预热是在60℃-70℃加热20-30min。
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