[发明专利]一种AC‑DC整流器单元及其应用电路

权利要求书

1.一种AC-DC整流器单元，适用于超高频RFID，包括：

第一整流单元，用于通过输入差分对整流对管将同相射频输入信号RF+转换为直流输出电压Vout；

第二整流单元，用于通过输入差分对整流对管反相射频输入信号RF-转换为直流输出电压Vout；

第一偏置电路单元，利用动态偏置电路为第二整流单元整流器对管提供偏置电压，消除差分整流对管的阈值损耗且保持较低的反向电流,该第一偏置电路单元包括第二PMOS管PM2L、第三PMOS管PM3L、第二NMOS管NM2L、第三NMOS管NM3L，该第二PMOS管PM2L与第二NMOS管NM2L分别接成二极管形成分压电路，对直流输出Vout进行分压然后通过漏端相连漏级输出第一控制电压V1L，给该第二整流单元的整流对管中的PMOS管提供偏置，第三PMOS管PM3L与第三NMOS管NM3L分别接成二极管形成分压电路，对直流输出Vout进行分压然后通过漏端相连输出第二控制电压V2L，给该第二整流单元的整流对管中的NMOS管提供偏置；

第二偏置电路单元，利用动态偏置电路为第一整流单元整流器对管提供偏置电压，消除差分整流对管的阈值损耗且保持较低的反向电流；

储能电容CL，用于滤除直流输出电压Vout上的交流信号以得到稳定的直流输出电压。

2.如权利要求1所述AC-DC整流器单元，其特征在于：该第一控制电压V1L与该第二控制电压V2L通过第一加速电容C3L相连以加快电路AC-DC的转换速度。

3.如权利要求1所述的AC-DC整流器单元，其特征在于：该第一偏置电路单元还包括第三耦合电容C2L,该第三耦合电容C2L一端连接该同相射频输入信号RF+，另一端与第二NMOS管NM2L的栅极和漏极相连。

4.如权利要求1所述的AC-DC整流器单元，其特征在于：该第二偏置电路单元包括第四PMOS管PM2R、第四NMOS管NM2R、第五PMOS管PM3R、第五NMOS管NM3R，该第四PMOS管PM2R与第四NMOS管NM2R分别接成二极管形成分压电路，对直流输出Vout进行分压，然后通过漏端相连漏级输出第三控制电压V1R，给该第一整流单元的整流对管中的PMOS管提供偏置，第五PMOS管PM3R与第五NMOS管NM3R分别接成二极管形成分压电路，对直流输出Vout进行分压然后通过漏端相连输出第四控制电压V2R，给该第一整流单元的整流对管中的NMOS管提供偏置。

5.如权利要求4所述的一种AC-DC整流器单元，其特征在于：该第三控制电压V1R与该第四 控制电压V2R通过第二加速电容C3R相连以加快电路AC-DC的转换速度。

6.如权利要求5所述的AC-DC整流器单元，其特征在于：该第二偏置电路单元还包括第四耦合电容C2R,该第四耦合电容C2R一端连接该反相射频输入信号RF-，另一端与第四NMOS管NM2R的栅极和漏极相连。

7.如权利要求5所述的AC-DC整流器单元，其特征在于：该第一整流单元包括第一PMOS管PM1L、第一NMOS管NM1L以及第一耦合电容C1L，该同相射频输入信号RF+连接至该第一耦合电容C1L的一端，该第一耦合电容C1L的另一端连接至该第一PMOS管PM1L的源极和第一NMOS管NM1L的漏极，该第一PMOS管PM1L栅极接该第三控制电压V1R，该第一PMOS管PM1L的漏极与该第二PMOS管PM2L的源极、第三PMOS管PM3L的源极、第四PMOS 管PM2R的源极、第五PMOS管PM3R的源极以及储能电容CL的一端相连组成直流输出节点Vout，该第一NMOS管NM1L的栅极接该第四控制电压V2R,源极接地。