[发明专利]一种微波碳化硅陶瓷发热体及其制备方法

权利要求书

1.一种微波碳化硅陶瓷发热体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、原料制备：按比例称取吸波陶瓷粉料中的各组分，包括以重量百分计的碳化硅68%～73%、三氧化二铝1%～5%、氧化锆1%～6%、四氧化三铁18%～23%、二氧化铪1%～6%、二氧化硅1%～6%、三氧化二钇1%～5%、三氧化二镧2%～5%；

并将各组分加入到雷蒙磨中研磨粉碎至1000目粉料，然后将得到的粉料加入粘结剂，所述粘结剂为耐高温胶水，耐高温胶水的加入量是吸波陶瓷粉料质量的4%～8%；

放入离心搅拌机中，搅拌混合0.5～1h，得到混合均匀的吸波陶瓷原料；

b、压制成型：将步骤a所得的吸波陶瓷原料在模具中压制成型，成型压力为25～50MPa，稳压时间持续1.5～2.5min，得到陶瓷坯体；

c、定型烘干：将步骤b所得的陶瓷坯体静置不小于24小时，静置后采用微波烘干，烘干环境温度为90℃-100℃；

d、烧结：将步骤c所得的烘干后的陶瓷坯体装入窑炉中，陶瓷坯体由还原性气氛保护在窑炉中烧结，炉内温度升温至1300℃～1500℃后停止加热，随炉降温36h后得到陶瓷发热体；所述陶瓷发热体为圆柱体或长方体，在陶瓷发热体上均匀设置若干贯穿的通孔（2），所述通孔（2）的总面积占陶瓷发热体横截面面积的70%～85%；所述通孔（2）的横截面为方形或圆形，各相邻通孔之间的壁厚为0.2～3.0mm。

2.根据权利要求1所述的微波碳化硅陶瓷发热体的制备方法，其特征在于，所述吸波陶瓷粉料包括以重量百分计的碳化硅73%、三氧化二铝1%、氧化锆1%、四氧化三铁20%、二氧化铪1%、二氧化硅1%、三氧化二钇1%、三氧化二镧2%。