[发明专利]一种芯片及其电压调节方法

说明书

本发明公开了一种芯片的电压调节方法，所述方法包括：获取检测信号在待测芯片的第一时延链路中传输的第一时延值，以及所述检测信号在所述待测芯片的第二时延链路中传输的第二时延值；基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定待测芯片的工艺偏差值；第一时延链路与第二时延链路的时延特性不同，第二时延值与第一时延值不同；生成第一时钟信号，基于第一时钟信号中的时钟频率，确定待测芯片的逻辑单元的第一工艺频率值；生成第二时钟信号，基于第二时钟信号中的时钟频率和待测芯片的金属走线的信息，确定金属走线的第二工艺频率值；根据工艺偏差值、第一工艺频率值和第二工艺频率值，对待测芯片的工作电压进行调整。本发明还同时公开了一种芯片。

技术领域

本发明涉及电压调节技术，具体涉及一种芯片及其电压调节方法。

背景技术

目前的智能终端芯片，例如：移动终端的芯片、平板电脑的芯片等，不仅无法基于在生产制造过程中的工艺偏差进行工作电压的相应调整，更加无法对工作过程中芯片温度的实时变化进行工作电压的实时调整。从而导致芯片的工作电压往往大于其性能所需的最低电压要求，从而造成芯片功耗过大，浪费有限的电池能量，缩短设备的续航时间。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例期望提供一种芯片及其电压调节方法，能够基于芯片的温度实时调节芯片的工作电压，降低芯片功耗。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

根据本发明实施例的一方面，提供一种芯片的电压调节方法，所述方法包括：

获取检测信号在待测芯片的第一时延链路中传输的第一时延值，以及所述检测信号在所述待测芯片的第二时延链路中传输的第二时延值；基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺偏差值；其中，所述第一时延链路与所述第二时延链路的时延特性不同，所述第二时延值与所述第一时延值不同；

生成第一时钟信号，基于所述第一时钟信号中的时钟频率，确定所述待测芯片的逻辑单元的第一工艺频率值；

生成第二时钟信号，基于所述第二时钟信号中的时钟频率和所述待测芯片的金属走线的信息，确定所述金属走线的第二工艺频率值；

根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

上述方案中，所述基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺偏差值，包括：

基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺值；

将所述工艺值转换为二进制文件(BIN，BINary files)值；

根据所述BIN值，确定所述待侧芯片的工艺偏差值。

上述方案中，所述根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，对所述待测芯片的工作电压进行调整，包括：

根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，生成所述待测芯片的工艺、电压、温度(PVT，Process、Voltage、Temprature)和频率的信息映射表；

基于所述工艺偏差值对所述待测芯片的工作电压进行初始化设置，并结合所述PVT和频率的信息映射表，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

上述方案中，所述金属走线的信息，包括：所述金属走线的寄生电阻信息和电容信息。

根据本发明实施例的另一方面，提供一种芯片，所述芯片包括：时延链(TDC，TimeDelay Chain)工艺传感器、环形振荡(Ringo，Ring Oscillator)工艺传感器、关键路径环形震荡(CPR，Critical Path Ringo)工艺传感器和工艺传感器控制模块；