[发明专利]偏置电流产生电路

权利要求书

1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，所述偏置电流产生电路包括参考电压端、转换电路、自偏置电流电路和电流输出电路，其中：

所述参考电压端向所述转换电路和所述自偏置电流电路提供参考电压；

所述自偏置电流电路根据所述参考电压形成第一关联电流，并将所述第一关联电流提供给所述转换电路；

所述转换电路包括放大器元件，所述第一关联电流控制所述放大器元件的启动，所述放大器元件根据所述参考电压形成控制电流，并将所述控制电流提供给所述自偏置电流电路及所述电流输出电路；

所述自偏置电流电路根据所述控制电流形成第二关联电流，所述第二关联电流在所述放大器元件启动后控制所述放大器元件运行；

所述电流输出电路根据所述控制电流输出偏置电流；

所述自偏置电流电路包括自启动电路、自偏置电路和关联电流输出端，其中：

所述自启动电路根据所述参考电压产生所述第一关联电流，并向所述关联电流输出端提供所述第一关联电流；

所述自偏置电路根据所述控制电流产生所述第二关联电流，并向所述关联电流输出端提供所述第二关联电流；

所述关联电流输出端向所述转换电路提供所述第一关联电流或所述第二关联电流。

2.如权利要求1所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述转换电路还包括反馈电路，所述反馈电路根据所述控制电流形成一控制电压，所述放大器元件根据所述控制电压和所述参考电压的大小关系调整所述控制电流。

3.如权利要求2所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述反馈电路包括反馈晶体管和若干电阻，其中：

所述反馈晶体管为P沟道场效应管，所述反馈晶体管的源极连接电源正极，所述反馈晶体管的漏极连接所述放大器元件的正输入端，所述反馈晶体管的栅极连接所述放大器元件的输出端；

所述若干电阻串联形成串联电路，所述串联电路连接在所述反馈晶体管和电源负极之间；

所述放大器元件的负输入端连接所述参考电压端。

4.如权利要求3所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述自启动电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管串联，其中：

所述第一晶体管处于一直导通状态，所述第二晶体管的导通受控于所述参考电压，所述第三晶体管的关断受控于所述控制电压；

当所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均导通时，所述自启动电路输出所述第一关联电流。

5.如权利要求4所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第一晶体管为一二极管，所述第二晶体管为一N沟道场效应管，所述第三晶体管为一P沟道场效应管。

6.如权利要求5所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第一晶体管的阳极连接电源正极，所述第一晶体管的阴极连接所述第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的源极连接所述第三晶体管的源极，所述第二晶体管的栅极连接所述参考电压端，所述第三晶体管的漏极连接所述关联电流输出端，所述第三晶体管的栅极连接所述放大器元件的正输入端。

7.如权利要求6所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述自偏置电路包括第四晶体管，其中：

所述第四晶体管受控于所述控制电流；当所述第四晶体管导通时，所述自偏置电路输出所述第二关联电流。

8.如权利要求7所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述自偏置电路还包括与所述第四晶体管串联的第五晶体管，其中：

所述控制电压超过阈值时，所述第五晶体管关断。

9.如权利要求8所述的偏置电流产生电路，其特征在于，所述第四晶体管和所述第五晶体管均为P沟道场效应管。