[发明专利]一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片

说明书

本发明提供一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片，通过提供衬底，所述衬底包括Si₃N₄陶瓷衬底；于所述衬底上形成覆盖层，所述覆盖层包裹所述衬底、并覆盖所述衬底的全部表面。本发明形成的晶片具有衬底和覆盖层的复合结构，保证了该晶片能够作为挡片或晶片应用于集成电路工艺中；所述衬底具有很高的稳定性和强度，有效提高到了晶片的耐用性；而且，通过配置不同材料的覆盖层，使得该晶片能够广泛适用于多种的集成电路工艺，具有很高的灵活性。

技术领域

本发明涉及半导体晶片制备技术领域，特别是涉及一种可用作挡片或控片的晶片制备方法及晶片。

背景技术

随着半导体工艺技术的发展，利用离子注入、化学气相沉积以及光刻等工艺可以在晶片上制作各种电路元件结构，从而形成具有特定电性功能的半导体集成电路。

在半导体集成电路的制造过程中，通常需要使用挡片(英文：Dummy Wafer)和控片(英文：Monitor Wafer)。其中，挡片在半导体集成电路制造过程中的主要作用是保持工艺的稳定性和均一性，通常为了稳定气流和平衡炉管温度而在炉管中放置挡片，或者在机台启动以及恢复过程中为了暖机而使用挡片。控片的主要作用是监控机台的稳定性和重复性；控片的使用方法主要有两种，一种是在正式制造产品片之前，先用控片来做实验，实验后测试控片，根据测试结果来判断机台是否正常，这种测试叫做离线测试；另一种是随产品片一起进入机台做工艺，工艺完成后测试控片来判断此次作业是否正常，这种测试叫做在线测试。

目前，硅片常常作为挡片或者控片来使用，然而硅片很容易发生脆裂损坏，使用寿命较短，这样可能在集成电路的制备过程中需要频繁更换才能满足生产需求。因此，如何提高挡片和控片的耐用性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种可用作挡片和控片的晶片制备方法及晶片，用于解决现有技术中挡片和控片耐用性差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种可用作挡片和控片的晶片制备方法，该方法包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底包括Si₃N₄陶瓷衬底；

于所述衬底上形成覆盖层，所述覆盖层包裹所述衬底、并覆盖所述衬底的全部表面。

可选地，所述提供衬底包括：

以SiN为原料，以Lu2O3作为烧结添加剂，使用高等静压方法烧结形成Si₃N₄陶瓷衬底。

可选地，所述使用高等静压方法烧结形成Si₃N₄陶瓷衬底包括：

在氮气氛围中，于压强为10atm至200atm，以及温度为1700℃至2200℃的条件下，烧结形成Si₃N₄陶瓷衬底。

可选地，所述使用高等静压方法烧结形成Si₃N₄陶瓷衬底，包括：

在氮气氛围中，于压强为50atm至100atm，以及温度为1800℃至2000℃的条件下，烧结形成Si₃N₄陶瓷衬底。

可选地，所述覆盖层为SiC层，于所述衬底上形成覆盖层包括：

以SiHCl3和C3H8作为反应气体，在温度为1500℃至1700℃，以及压强为600Torr至900Torr的条件下，于所述衬底上形成SiC层。

可选地，所述SiC层的厚度介于600μm至800μm。

可选地，所述覆盖层为Si层，于所述衬底上形成覆盖层，包括：