[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

采用热氧化处理在所述基底上形成栅介质层；

形成栅介质层之后，对所述基底进行离子注入，调节阈值电压；

在所述栅介质层上形成栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用热氧化处理在所述基底上形成栅介质层的工艺为：原位水蒸汽生成工艺。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述原位水汽生成工艺的工艺参数包括：在900℃至1100℃，通入H₂和O₂的混合气体，H₂的气体流量为0.2slm至5slm，O₂的气体流量为10slm至40slm，时间为5s至300s，压强为4torr至10torr。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或者多种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的厚度在20埃至50埃范围内。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质层的步骤包括：

采用热氧化处理在所述基底上形成栅介质膜；

对所述栅介质膜进行掺氮处理；

对所述栅介质膜进行掺氮处理之后，进行退火处理，形成所述栅介质层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数包括：温度为900℃至1100℃，退火时间为8s至50s。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为NMOS器件；对所述基底进行离子注入，调节阈值电压的步骤中，所述离子注入采用的掺杂离子的类型为P型。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入的参数包括：掺杂离子为B，功率为18kev至50kev，掺杂离子剂量为1.0E13atom/cm²至1.0E15atom/cm²。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为PMOS器件；对所述基底进行离子注入，调节阈值电压的步骤中，所述离子注入采用的掺杂离子的类型为N型。

11.如权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于所述离子注入的参数包括：掺杂离子为N、P或者As，功率为18kev至50kev，掺杂离子剂量为1.0E13atom/cm²至1.0E15atom/cm²。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极的工艺步骤包括：

在所述栅介质层上形成栅极膜；

对所述栅极膜进行图形化处理，形成所述栅极。

13.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极膜之前，对所述基底进行离子注入，调节阈值电压。

14.如权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极膜之后，对所述基底进行离子注入，调节阈值电压。