[发明专利]一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括依次设置于N面电极上表面的衬底层、N型DBR层、有源层和P型DBR层，其中，所述N型DBR层、所述有源层和所述P型DBR层共同构成圆柱形台面，所述N型DBR层、所述有源层和所述P型DBR层还共同构成了位于所述圆柱形台面外周部的分段柱形台面，所述圆柱形台面的周围开设有环形窗口，所述环形窗口的底部位于所述N型DBR层中，所述环形窗口的底面和侧面及位于其周围的所述P型DBR层的一部分上表面设置有介质薄膜电流限制层，所述介质薄膜电流限制层的侧面和上表面以及上表面周围的所述P型DBR层的一部分上表面设置有P面电极，所述分段柱形台面的P型DBR层的上表面位于所述P面电极外周部以外的区域覆盖有激光反射镜，用于在注入电流时将产生热量通过所述N型DBR层传输至所述圆柱形台面的位置以控制激光的输出波长向长波移动的程度。

2.根据权利要求1所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述分段柱形台面的数量为2个或3个。

3.根据权利要求2所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，不同的所述分段柱形台面的弧度值不相等。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述激光反射镜为多层SiO₂/TiO₂薄膜激光反射镜。

5.根据权利要求4所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述介质薄膜电流限制层为SiO₂层、AlN层、Si₃N₄层、BeO层或SiC层。

6.根据权利要求5所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有源层为InGaAs/GaAsP、GaAs/AlGaAs、InGaAs/GaAs或InGaAs/AlGaAs周期性多量子阱结构层。

7.根据权利要求6所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P型DBR层和所述N型DBR层均为GaAs/AlAs层。

8.根据权利要求7所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P面电极为Ti/Au电极或Ti/Pt/Au电极。

9.根据权利要求8所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N面电极为Au/Ge/Ni电极、AuGeNi/Au电极、Au/Ge电极或Pt/Au/Ge电极。

10.根据权利要求9所述的用于微型原子传感器的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述衬底层为GaAs层、InP层或GaN层。