[发明专利]一种P型黑硅双面电池的制备方法

说明书

本申请公开了一种P型黑硅双面电池的制备方法，包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极。本申请提供的上述P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。

技术领域

本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型黑硅双面电池的制备方法。

背景技术

目前，硅基太阳能电池依然是世界上产量及安装量最高的太阳能电池，规模占所有光伏电池的90％以上，并且在未来很长一段时间内依然是主要形式，因此，如何继续降低制作成本并提高制作效率仍是一个重要的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。

本发明提供的一种P型黑硅双面电池的制备方法，包括：

在硅片的双面制绒；

进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；

去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；

在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；

在所述硅片的双面印刷电极。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述进行正面黑硅制绒之后，还包括第一次清洗。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述正面P型扩散为：设置温度为780℃至790℃，扩散16分钟至20分钟，并设定推进温度为820℃至830℃，推进20分钟至30分钟。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG为：利用浓度为1％的氢氟酸浸泡所述硅片3分钟，去除所述硅片背面的PSG。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG之后，还包括：

对所述硅片进行第二次清洗。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述进行背面黑硅制绒包括：

利用反应离子刻蚀方式进行背面黑硅制绒持续130秒至150秒，得到反射率为3％至6％的黑硅。

优选的，在上述P型黑硅双面电池的制备方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG为：

利用浓度为10％至15％的氢氟酸作用5分钟至10分钟。

通过上述描述可知，本发明提供的上述P型黑硅双面电池的制备方法，由于包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极，因此能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。