[发明专利]一种应力衰减结构的超高压力传感器

权利要求书

1.一种应力衰减结构的超高压力传感器，其特征在于：包括金属承压元件(4)，金属承压元件(4)的上部为截面逐渐变大的锥形体，外界压力直接作用在锥形体顶部最小的受压面上；金属承压元件(4)的下部为截面积均匀的柱体，并在柱体侧面对称加工有两个侧平面，一个侧平面安装有力敏芯片(6)，力敏芯片(6)通过其上设有的惠斯通电桥和两个转接板(7)连接，两个转接板(7)关于力敏芯片(6)上下对称布置，转接板(7)上的电信号通过引线输出；

所述的金属承压元件(4)的底部安装在底座(1)上，金属承压元件(4)的外部安装有上盖(3)，上盖(3)和底座(1)固定连接，上盖(3)的顶面中心处加工有一个通孔，通孔直径和金属承压元件(4)顶部的受压面直径相同；

所述的上盖(3)的顶部连接有引压元件(5)，引压元件(5)是一个空心圆柱体，内圆柱孔的直径和上盖(3)顶面的通孔直径相同，其内圆柱孔与上盖(3)顶面的通孔对准。

2.根据权利要求1所述的一种应力衰减结构的超高压力传感器，其特征在于：所述的底座(1)为圆盘状，圆盘中心加工了一个圆形沉孔，并在沉孔侧面加工一个键槽，在与键槽对称的位置上加工一个和键槽相同宽度的引线槽，引线槽贯穿沉孔内表面一直延续至底座(1)外表面，键槽和引线槽的深度与沉孔的深度相同。

3.根据权利要求1所述的一种应力衰减结构的超高压力传感器，其特征在于：所述的上盖(3)从底面加工了一个和底座(1)直径相同的沉孔，底座(1)的沉孔和上盖(3)的沉孔接合形成空腔，空腔的高度和金属承压元件(4)的高度相同；在上盖(3)沉孔的侧面上，与金属承压元件(4)上安装有力敏芯片(6)的侧平面相对的位置处加工了一个引线槽，该引线槽和底座(1)上引线槽宽度相等，引线槽的深度和上盖(3)沉孔深度相同，并贯穿沉孔内表面一直延续至上盖(3)的外表面。

4.根据权利要求1所述的一种应力衰减结构的超高压力传感器，其特征在于：所述的力敏芯片(6)是通过MEMS技术制作而成的芯片。