[发明专利]一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用掺砷硅片作为N⁺区，采用SiHCl₃和H₂作为反应气体、SiHCl₃作为硅外延生长原料，利用化学气相沉积法在所述掺砷硅片上淀积形成掺磷的N区、在所述N区上淀积形成掺硼的P区、在所述P区上淀积形成掺硼的P⁺区，获得外延片；

(2)在所述外延片的N⁺区的表面溅射一层Ni后，形成包括自下而上依次层叠的Ni层、掺砷的N⁺区、掺磷的N区、掺硼的P区、掺硼的P⁺区的第一中间件；

(3)在所述第一中间件的P⁺区的表面依次溅射一层Ti、一层Ni后形成包括自下而上依次层叠的Ni层、掺砷的N⁺区、掺磷的N区、掺硼的P区、掺硼的P⁺区和Ti/Ni层的第二中间件；

(4)对所述第二中间件进行退火处理，使得所述N⁺区与Ni层之间以及所述P⁺区与Ti/Ni层之间均形成欧姆接触，获得漂移阶跃恢复二极管。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：

(5)在所述漂移阶跃恢复二极管的Ni层上依次溅射一层Ti、一层Al，在Ti/Ni层上依次溅射一层Ti、一层Al。

3.一种根据权利要求1或2所述的制备方法所获得的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，包括自下而上依次层叠的掺砷的N⁺区、掺磷的N区、掺硼的P区和掺硼的P⁺区；所述N⁺区与P区分别位于N区两侧，所述P⁺区与P区邻接，构成n⁺npp⁺结构。

4.如权利要求3所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，所述N⁺区的底面镀有Ni层，所述P⁺区的表面镀有Ti/Ni层。

5.如权利要求3或4所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，所述N⁺区的厚度为180μm～250μm，所述N区的厚度为20μm～100μm，所述P⁺区的厚度为8～12μm。

6.如权利要求3或4所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，所述P⁺区的硼离子浓度为10¹⁹～10²⁰个/cm³，所述N⁺区的砷离子浓度为10¹⁹～10²⁰个/cm³。

7.如权利要求3或4所述的漂移阶跃恢复二极管，其特征在于，所述P区的硼离子浓度为4×10¹⁵～6×10¹⁵个/cm³，所述N区的磷离子浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁵个/cm³。