[发明专利]一种玻璃腐蚀的掩膜方法有效

专利信息
申请号: 201710206914.7 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106904839B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 张照云;苏伟;唐彬;许蔚;熊壮 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: C03C15/00 分类号: C03C15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 玻璃 腐蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,包括下述步骤:

(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合;

(b)去掉硅片上表面的氧化层;

(c)减薄硅片;

(d)以光刻胶在硅片表面光刻,形成玻璃腐蚀所需要的图形;

(e)利用DRIE各向异性刻蚀,刻蚀硅片,刻蚀深度至玻璃层;

(f)去掉硅片上的光刻胶;

(g)腐蚀玻璃;

(h)去掉玻璃上的硅、氧化硅,并清洗,得到所需要的玻璃结构。

2.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在所述步骤(a)中的催化键合,具体包括下述步骤:

(1)在洁净玻璃上滴入含OH-的水溶液;

(2)将具有表面氧化层的硅片轻轻的压在滴有液体一面的玻璃上;

(3)在室温下静置24小时以上。

3.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,所述具有表面氧化层的硅片是将硅片放入氧化炉中进行表面氧化而成。

4.根据权利要求2所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,所述步骤(1)中的含OH-的水溶液为KOH水溶液或NaOH水溶液。

5.根据权利要求2所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在步骤(3)的静置后,进一步进行退火。

6.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在所述步骤(b)中,去掉硅片上表面的氧化层的方法为:利用HF或BHF溶液湿法腐蚀氧化层、或者干法刻蚀氧化层。

7.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,在所述步骤(c)中,所述减薄硅片的方法为:利用KOH或NaOH溶液腐蚀减薄硅片、或者以干法刻蚀减薄硅片。

8.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在所述步骤(g)中,去掉玻璃上硅片的方法为:利用KOH或NaOH溶液腐蚀硅片、或者利用干法刻蚀去掉硅片。

9.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在所述(f)步骤中,以HF酸腐蚀玻璃。

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